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在電鍍、連接和焊接等操作過程中，陜西真空等離子體處理機良好的連接很容易被削弱，這些殘留物可以通過等離子表面處理技術選擇性地去除。同時，氧化層也對接合質量產生不利影響，還需要等離子表面處理技術來提高焊接穩定性。。低溫等離子表面處理機、低溫等離子設備導入機構等離子含有大量的自由電子和離子，整體上是一種近乎中性的電離氣體，是另一種聚集態。將等離子體置于體穩定材料的第四態或等離子體態。有三種狀態：非固體、液體和氣體。

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然而，隨著器件的小型化，多晶硅柵頭之間的距離需要縮短，但目前只需要控制即可。LES 無法滿足流程的要求。引入雙圖案（double patterning）切割工藝可以很好地解決這個問題。雙圖形工藝早在2010年就被提出，三星的技術此后迅速發展，在新墨西哥大學發明了雙圖形技術，中國也在該領域的知識產權上進行了多次布局創造。業界在 28nm 工藝中引入了雙重圖案化工藝，以避免多晶硅線末端過度收縮。

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因此，等離子清洗后，孔中心的清洗量小，孔端的清洗量大。在清洗或蝕刻過程中，氣體總是對等離子體的穿透能力有顯著影響。用不同的CF4+O2氣流蝕刻出深度為2.7mm、直徑為0.25mm的通孔。通孔的孔壁只有環氧玻璃布，沒有銅層。蝕刻試驗：按以下參數進行。 CF4+O2的流量分別為300M/MIN、500ML/MIN、700M/MIN、900ML/MIN。

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