等離子清洗機(jī)被廣泛應(yīng)用于去除表面污染物和表面活化。等離子清洗技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用可以歸納為四大類：
1．污染物清除2．表面活化：3．表面刻蝕：4．表面交聯(lián)。
等離子清洗工藝的選擇取決于后繼工藝對(duì)材料表面的要求、材料表面的原有特征、化學(xué)組成以及表面污染物性質(zhì)等等。通常應(yīng)用于等離子表面改性的氣體有氬氣、氧氣、氫氣、氮?dú)狻⑺姆技捌浠旌蠚怏w等等其主要應(yīng)用及選擇見(jiàn)表1。表一 半導(dǎo)體行業(yè)等離子清洗工藝的選擇及應(yīng)用等離子清洗氣體表面處理工藝應(yīng)用氬氣（Ar）表面污染物去除導(dǎo)線鏈接芯片粘接表面交聯(lián)表面粘接氧氣（O2）表面有機(jī)污染物去除芯片粘結(jié)表面活化塑料封裝表面刻蝕光刻膠去除氮?dú)猓∟2）表面活化塑料封裝氫氣（H2）金屬氧化物去除導(dǎo)線連接芯片粘接四氟化碳（CF4）和氧氣表面刻蝕光刻膠去除六氟化硫（SF6）和氧氣表面有機(jī)物去除薄膜去除（Sio2、Si3N4）除氬氣等離子清洗工藝以外，很多情況下。等離子清洗工藝是物理作用和化學(xué)反應(yīng)的結(jié)合。改性后的材料表面通常對(duì)環(huán)境比較敏感。隨著等離子體處理后時(shí)間的增加，材料表面可能失去等離子體工藝所產(chǎn)生的表面的化學(xué)和物理特性。
以下就等離子清洗機(jī)在半導(dǎo)體行業(yè)的各種應(yīng)用進(jìn)行探討：
1．污染物清除(ContaminanRemovaI)
通常這些污染物在表面的厚度很薄，只在幾個(gè)分子級(jí)到微米級(jí)的厚度等離子體的物理濺射和化學(xué)反應(yīng)能用于去除這些污染物。通過(guò)等離子體的物理濺射工藝化學(xué)反應(yīng)工藝或混合的物理化學(xué)工藝，基板得以清洗而增強(qiáng)芯片粘結(jié)能力(Die Attach)，焊盤(pán)(Bond Pads)得以清洗而改善導(dǎo)線鍵合能力(Wire Bond ability)，界面得以清洗而降低潛在的界面剝離。
例如，以氧氣為基本氣源的等離子體清洗可以通過(guò)下列化學(xué)反應(yīng)非常有效地去除表面有機(jī)污染物，諸如環(huán)氧樹(shù)脂殘余物。
有機(jī)污染物(含c，H，0)+含氧氣的等離子體→CO2+CO+H2O(易揮發(fā)產(chǎn)物)
反應(yīng)產(chǎn)物在表面揮發(fā)。通過(guò)真空系統(tǒng)，反應(yīng)產(chǎn)物被抽提出真空腔而留下一個(gè)干凈清潔的表面。
物理濺射等離子體清洗工藝可以用來(lái)清除焊盤(pán)上的氧化物．實(shí)驗(yàn)證實(shí)，氬氣等離子體清洗過(guò)的PBGA基板可以增加24.3％的導(dǎo)線拉力強(qiáng)度。
金屬氧化物的存在會(huì)成為導(dǎo)線粘結(jié)和焊錫再流的障礙。混合的物理化學(xué)等離子工藝(氬氣和氫氣等離子體)能夠還原金屬氧化物。例如，在氫氣等離子體中，通過(guò)氫自由基和金屬氧化物的反應(yīng)，氧化銅可以被還原成銅。
CuO+2H*————Cu+H2O
另外，氬氣/氫氣等離子體還能夠通過(guò)混合的等離子物理化學(xué)作用去除鍍金焊盤(pán)表面的氧化鎳。從而提高導(dǎo)線在焊盤(pán)表面的鍵合能力。
2．表面活化(Surface Actlvation)
在等離子體中，被離解的氣體分子，諸如氧氣、氫氣、氮?dú)夂桶睔猓瑫?huì)與表面發(fā)生反應(yīng)，從而在表面產(chǎn)生不同的化學(xué)官能團(tuán)。這些不同的官能團(tuán)改變了材料表面的化學(xué)特陛。其本身與材料表面形成化學(xué)鍵，同時(shí)有能力與膠粘劑形成化學(xué)鍵，從而改善了表面的粘接力。另一方面，表面化學(xué)官能團(tuán)的形成也增加了表面面積，導(dǎo)致表面具有良好的粘結(jié)強(qiáng)度。表面化學(xué)官能團(tuán)的類型取決于等離子體氣體的選擇及表面的本身特性。
在半導(dǎo)體領(lǐng)域．等離子體的表面活化工藝被應(yīng)用于芯片粘結(jié)(Die Attach)的前端處理。由于未處理材料表面普遍的疏水性和惰性，其表面粘結(jié)性能通常很差。粘結(jié)過(guò)程中很容易在界面上產(chǎn)生空隙。活化后的表面會(huì)改善環(huán)氧樹(shù)脂等高分子材料在表面的流動(dòng)性能，提供良好的接觸表面。為芯片粘結(jié)提供良好的條件，進(jìn)而減少空隙形成的可能和改善熱傳導(dǎo)能力。常見(jiàn)的等離子體表面活化工藝是通過(guò)氧氣、氮?dú)饣蛩鼈兊幕旌蠚獾入x子體來(lái)完成的。
在塑料封裝(MoIding／Encapsulation)方面，封裝材料與電子元件間良好的粘結(jié)力是提供半導(dǎo)體裝置可靠性和壽命的必要保證。良好的塑料封裝提供半導(dǎo)體裝置足夠的機(jī)械強(qiáng)度、優(yōu)良的抗腐蝕能力、匹配材料在界面間的熱膨脹系數(shù)。
界面剝離是塑料封裝方面最常見(jiàn)的問(wèn)題之一。它的產(chǎn)生通常是由于表面污染物和氧化物的存在或表面沒(méi)有活化造成的。它影響了產(chǎn)品的可靠性，因此利用等離子體進(jìn)行表面活化和污染物清洗來(lái)改善界面粘結(jié)能力已經(jīng)成為塑料封裝的必需步驟。
已經(jīng)證實(shí)，等離子清洗工藝改善了塑料封裝材料與金屬導(dǎo)線架、芯片表面之間的粘結(jié)能力。
在覆晶封裝(FIip Chip)方面，活化后的表面可以促進(jìn)界面的粘結(jié)能力，提高虹吸速度(Wicking Speed)和降低形成空隙的可能性。等離子體處理后的覆晶封裝的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提高填料邊緣高度，從而改善半導(dǎo)體封裝的機(jī)械強(qiáng)度．降低因材料間不同的熱膨脹系數(shù)(CTE)而在界面間形成的剪切應(yīng)力，而提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的可靠性和壽命。
3．表面刻蝕(Etching)
等離子技術(shù)的另一個(gè)主要應(yīng)用是表面刻蝕。等離子體產(chǎn)生的離子和自由基等活性粒子會(huì)選擇性地與表面分子反應(yīng)而產(chǎn)生易揮發(fā)產(chǎn)物，導(dǎo)致表面被刻蝕和清洗。等離子表面刻蝕工藝可以通過(guò)等離子氣源、等離子產(chǎn)生條件優(yōu)化．在其它材料存在的隋況下．使某些材料被選擇性地刻蝕。
等離子表面刻蝕技術(shù)中最常用的氣體是四氟化碳(CF4)。四氟化碳和氧氣混合的等離子體產(chǎn)生大量的化學(xué)活性很強(qiáng)的氧自由基、氟自由基和氟氧自由基。這些自由基能夠斷裂許多材料中的c—c鍵。氣固相反應(yīng)所產(chǎn)生的易揮發(fā)副產(chǎn)物被真空泵系統(tǒng)排出。另一種常用于等離子體刻蝕的氣體是六氟化硫(SF6)。
等離子刻蝕在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用，包括光膠去除、薄膜去除、有機(jī)復(fù)合物去除，以及二氧化硅(SiO)、氮化硅(Si3N4)、砷化鎵(GaAs)刻蝕等等。在光電子元件制造領(lǐng)域，等離子體刻蝕已經(jīng)被用于去除光導(dǎo)纖維外面的有機(jī)保護(hù)層。
傳統(tǒng)的光導(dǎo)纖維由三層材料制成，即中心部分的線芯，次外層的包復(fù)層和最外層的有機(jī)保護(hù)層。線芯由光導(dǎo)材料制成，用于傳輸光信息；包復(fù)層促進(jìn)光的全反射，減少傳輸過(guò)程中光信號(hào)的損失有機(jī)保護(hù)層用于保護(hù)整個(gè)光纖。通常，有機(jī)保護(hù)層材料是Urethane Acrylate聚合物。
光電子工業(yè)中的許多應(yīng)用需要去除這層有機(jī)保護(hù)層，諸如氣密接封，激光二極管引線和光纖Bragg光柵等等。
等離子體刻蝕可以用于去除這層有機(jī)保護(hù)層。工藝的關(guān)鍵是去除整個(gè)有機(jī)保護(hù)層而保持光纖線芯的固有強(qiáng)度。因此，嚴(yán)格控制有機(jī)保護(hù)層去除過(guò)程，盡量減少光纖線芯被等離子體刻蝕是必需的。
4、表面交聯(lián)(Crosslinking)
等離子體誘導(dǎo)的表面交聯(lián)指的是等離子氣體諸如氬氣和氦氣等離子體從表面去除一些原子和產(chǎn)生一些表面自由基。這些等離子體產(chǎn)生的表面自由基并不穩(wěn)定，會(huì)相互結(jié)合形成化學(xué)鍵，從而形成交叉鏈接表面。
氬氣等離子體能夠有效地濺射出材料表面的部分原子，使表面在納米級(jí)上更加”粗糙”，增加了表面面積。另一方面，氬氣等離子處理后的表面產(chǎn)生大量的自由基，這種未飽和的自由基非常活潑，具有與其它分子形成化學(xué)鍵的能力。因此，等離子體誘導(dǎo)的表面交叉鏈接能夠改善表面的粘結(jié)能力，改善金屬與有機(jī)聚合物的粘結(jié)力。24383