在半導體封裝領域，有機硅對附著力的影響通常采用真空等離子體處理系統，隨著設備的不斷吸塵，真空室內的真空度不斷提高，分子間的距離變大，分子間作用力越來越小，Ar、H2、N2、O2、CF4等工藝氣體被等離子體清洗設備的等離子體發生器產生的高壓交變電場激發，使其變為高反應性或高能量的等離子體，從而與半導體器件表面的有機污染物和微粒子反應，生成揮發性物質，通過真空泵抽出，達到清洗、活化、刻蝕的目的。。

等離子清洗工藝具有操作簡便、可控性高等明顯優勢，有機硅對附著力的影響因此被廣泛應用于電子電氣、材料表面改性與活化等諸多行業。同時，這項卓越的技術有望在復合材料領域得到認可和廣泛應用。圖 1 簡要說明了等離子清洗的有效原理。主要通過等離子體效應材料表面發生一系列物理化學變化，其中活性粒子和高能射線與表面的有機污染物分子發生反應碰撞，形成小分子蒸發物。一個表面即可完成清潔效果。

因此，有機硅對附著力的影響該裝置的設備成本不高，沖洗工藝不需要使用昂貴的有機水溶液，因此總體成本低于傳統的濕式沖洗工藝。無線電范圍的頻率是它與激光等直射陽光不同。低溫等離子技術的方向性不是很強，可以通過材料內部的氣孔和凹槽完成沖洗操作，所以不必過多考慮被沖洗材料的形狀。

示例 1：O2 + e- → 2O * + eO * + 有機物 → CO2 + H2O從反應式可以看出，有機硅對基材附著力氧等離子體可以通過化學反應將非揮發性有機化合物轉化為揮發性的H2O和CO2。 ..示例 2：H2 + e- → 2H * + eH * + 非揮發性金屬氧化物 → 金屬 + H2O從反應式可以看出，氫等離子體可以通過化學反應去除金屬表面的氧化層。反應并清潔金屬表面。

有機硅對附著力的影響

低溫等離子體設備+光催化技術是在等離子體反應器中填充TiO2催化劑，反應器產生的高能粒子將有機污染物分解成小分子，再在催化劑作用下進一步氧化分解成無機小分子，從而達到凈化分離廢氣的目的。

對樣品外層（有機）污染物的超清潔可以在很短的時間內完全去除。同時，樣品外層的特性可以在一定的情況下發生改變。由于采用混合氣體作為清洗介質，可以有效避免樣品的二次污染。該裝置不僅增強了樣品的粘附性、相容性和潤濕性，還可以（殺菌）（殺菌）細菌。如今，等離子清洗機廣泛應用于光學、光電子學、電子學、材料科學、聚合物、生物醫學和微流體領域。

5、等離子體邊緣蝕刻機:等離子體邊緣蝕刻是指利用等離子體蝕刻去除晶圓片邊緣不需要的薄膜，可以減少缺陷的數量，提高良率。隨著工藝節點延伸到20nm，以及摩爾定律中更先進的工藝節點，晶圓邊緣和側面缺陷對良率的影響更加突出。在超大規模集成電路(vlSI)制造中，薄膜沉積、光刻、蝕刻和化學機械磨削之間的復雜相互作用往往會導致晶圓邊緣不穩定的薄膜積累。

簡單地說，等離子體清潔技術是等離子體物理、等離子體化學以及氣-固相界面反應的綜合，能有效清除(去除)殘存于原材料表層的有(去除)污染物質，確保原材料的表層和機體性能不受影響，傳統式的濕法清潔是目前主要的替代技術。更重要的是，常壓等離子體技術對半導體、金屬和大多數聚合物原材料有很好的處理效果(效果)，可以清潔整體、局部和復雜的結構。

有機硅對附著力的影響

等離子體清洗是一種干式工藝，有機硅對附著力的影響由于采用了電催化反應，可以提供一個低溫的環境，同時消除了濕化學清洗產生的危險和廢液，安全、可靠、環保。總之，等離子體清洗技術將等離子體物理、等離子體化學和氣固兩相界面反應相結合，能夠有效去除材料表面殘留的有機污染物，保證材料的表面和本體特性不受影響，目前被認為是替代傳統濕式清洗技術的主要手段。