二氧化硅plasma蝕刻設(shè)備（二氧化硅等離子體清洗機(jī)器）

深圳市金徠技術(shù)有限公司 2022-06-10 08:37:32 信陽等離子清洗機(jī) 314 閱讀

等離子體清洗原則和其他的優(yōu)勢(shì)原則是不同的,當(dāng)接近真空的模塊,射頻功率,打開氣體電離,等離子體,并伴隨著輝光放電,等離子體加速電場(chǎng)下,因此高速運(yùn)動(dòng)的電場(chǎng)作用下,表面的物理碰撞,等離子體的能量足以去除各種污染物，二氧化硅等離子體清洗機(jī)器同時(shí)氧離子可以將有機(jī)污染物氧化成二氧化碳和水蒸氣帶出客艙。

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因此，二氧化硅等離子體清洗機(jī)器CH的轉(zhuǎn)化率與高能電子的數(shù)量和活性氧的濃度有關(guān)。二氧化碳的轉(zhuǎn)化率與高能電子與二氧化碳分子的碰撞有關(guān)，這彈性或非彈性碰撞促進(jìn):(1)切斷斷裂的二氧化碳生成CO和O:二氧化碳,二氧化碳+ O + EThe消費(fèi)的CH4 oxygen-active物種支持右翼的轉(zhuǎn)變反應(yīng)。(2)基態(tài)分子吸收能量和二氧化碳轉(zhuǎn)換成激發(fā)態(tài)二氧化碳分子。顯然，二氧化碳的轉(zhuǎn)化主要依賴于前者。

一般認(rèn)為，二氧化硅等離子體清洗機(jī)器以TEOS為沉積源沉積二氧化硅薄膜的PECVD技術(shù)對(duì)TBOS的分解反應(yīng)如下:Si(OC2H)4(@) -sio2 (mesh + 4C2H(2) + 2H2Og。TEOS在等離子體中分解，形成固體二氧化硅沉積在基體上，其他分解產(chǎn)物為氣態(tài)，隨反應(yīng)尾氣排出。光譜圖中Si和C-H的特征峰表明正硅酸乙酯在等離子體中確實(shí)發(fā)生了分解反應(yīng)，并形成了硅化合物和一些碳?xì)浠衔铩?/p>

最后，二氧化硅等離子體清洗機(jī)器它會(huì)分解成像水和二氧化碳這樣的簡單分子。在其他情況下，當(dāng)自由基與表面分子結(jié)合時(shí)，它們會(huì)釋放大量的結(jié)合能，這些結(jié)合能反過來成為新的表面反應(yīng)的驅(qū)動(dòng)力，導(dǎo)致表面上的物質(zhì)被化學(xué)去除。

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當(dāng)能量密度高于1500 kJ/mol時(shí)，體系中電子的平均能量增加，大部分電子的能量逐漸接近二氧化碳C-O鍵的裂解能，二氧化碳的轉(zhuǎn)化率迅速增加。同時(shí)，CH4轉(zhuǎn)化率隨能量密度的增加呈對(duì)數(shù)增長，CO2轉(zhuǎn)化率隨能量密度的增加呈線性增長。這可能與甲烷和二氧化碳在等離子體下的熱解特性有關(guān)。

用濕化學(xué)過程是不同的,等離子清洗機(jī)是一種干燥處理技術(shù),等離子清洗機(jī)是通常使用的氣體,和普通氣體,如氧氣、氮?dú)狻嚎s空氣,不需要使用化學(xué)溶液(機(jī)),和無害的治療主要是由二氧化碳和其他氣體,作為反應(yīng)物和產(chǎn)生的氣體含量，不需要干燥，廢水處理，所以等離子清洗機(jī)處理廢水無廢氣可以實(shí)現(xiàn)。

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