成本低：設(shè)備簡單，高附著力uv噴涂白底操作維護(hù)方便，用少量氣體代替昂貴的清洗劑。此外，沒有廢液成本。四。操作更復(fù)雜。它可以穿透毛孔和凹坑，完成清潔工作。五。應(yīng)用范圍廣：-等離子清洗設(shè)備可以處理大多數(shù)固體化學(xué)品，因此其應(yīng)用范圍廣等。 6.-等離子清洗裝置的表層成分可以快速改變而不影響整體相特性。以上信息似乎是我最喜歡的。如有缺陷，請指出。。
工藝參數(shù)。等離子體表面清洗設(shè)備的工作特性是活化鍵能的交聯(lián)作用、材料表面轟擊的物理作用和形成新官能團(tuán)的化學(xué)作用，高附著力uv噴涂白底主要包含材料表面清洗、活化、蝕刻和涂覆四大特性。一、等離子體清洗設(shè)備的特點(diǎn)——表面清洗，顧名思義就是清除產(chǎn)品表面的污染物，主要是普通的清洗水無法徹底清洗設(shè)備表面的污染物，只對內(nèi)部無創(chuàng)，去除產(chǎn)品表面的弱鍵以及典型的- CH基類氧化物和污染物，為下一道工序做準(zhǔn)備。
另外由于三維立體鰭部的存在，高附著力uv噴涂白底其頂部以上部分和頂部以下部分的多晶硅柵蝕刻環(huán)境有所不同，因此等離子表面處理儀蝕刻過程中為了形成理想的多晶硅柵剖面形貌， 通常會把高選擇比的軟著陸步驟拆分成幾步以達(dá)到優(yōu)化多晶硅剖面形貌的目的。由于源漏極的外延直接在鰭部形成，如此便意味著FinFET的多晶硅蝕刻中的鰭部損耗相比平面結(jié)構(gòu)的襯底硅的損耗變得不是特別重要。
氬氣和氦氣性質(zhì)安穩(wěn)，高附著力uv噴涂白底并且放電電壓低(氬原子的電離能E為15.57 eV)易構(gòu)成亞穩(wěn)態(tài)的原子，一方面等離子清洗機(jī)運(yùn)用其高能粒子的物理作用清洗易被氧化或復(fù)原的物件, Ar+炮擊污物構(gòu)成揮發(fā)性污物被真空泵抽走，避免了外表資料發(fā)生反響;另一方面運(yùn)用氬氣易構(gòu)成亞穩(wěn)態(tài)的原子，再與氧氣氫氣分子碰撞時(shí)發(fā)生電荷的轉(zhuǎn)化和再結(jié)合，構(gòu)成氧氫活性原子作用于物體外表。
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由于等離子體的方向性差，它可以深入物體的毛孔和凹陷處進(jìn)行清潔，因此不需要過多考慮被清潔物體的形狀。而這些難以清洗的零件的清洗效果與氟利昂清洗效果相近甚至更好;五、采用等離子清洗，清洗效率可顯著提高。整個(gè)清洗過程可以在幾分鐘內(nèi)完成，因此具有收率高的特點(diǎn);六、等離子體清洗需要控制真空度Pa左右，這種清洗條件容易實(shí)現(xiàn)。
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