.34-NI2.75-ZN-O/Y-AL203 催化劑僅用作調節劑。正丁烷在純等離子體裝置作用下的主要產物是C2H2。這是因為CC鍵的結合能低于CH鍵的結合能。在大氣壓等離子體裝置的作用下，CCP等離子體清潔設備CC鍵優先斷裂形成。優先產生與 C2H2 進一步反應的 CHX 活性物質。。
大多數工藝都有非常嚴格的氣體流量控制要求，CCP等離子體蝕刻機因此所有工業真空等離子清洗機都使用質量流量控制器來控制工藝氣體的流量。在實際使用過程中，不同的工藝要求要求您選擇不同流量控制范圍的質量流量控制器。真空等離子清洗機中常用的流量控制范圍通常為 0 至 50 SCCM 至 0 至 500 SCCM。一些大型真空等離子清洗機本機還使用了0到1 SLM規格的質量流量控制器。
將 AGNPS 的優勢與經濟實用的方法相結合以生產薄 SIOX 層是一種可行且有前途的工藝。考察APCVD與CCVD技術相結合以及噴涂硝酸銀溶液是否適用于抗菌含銀薄膜的生產。問題的核心是硝酸銀是分解成金屬銀還是離子銀，CCP等離子體清潔設備以及是否可以在生產過程中制造 AGNPS。制備更穩定的夾雜物也很重要一種銀懸浮液，含有非聚集顆粒作為薄膜制備過程中的添加劑。
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這對于蝕刻的優點是定義通道材料圖案的單一目的。此前，CCl2F2氣體用于刻蝕，但由于選擇性和等離子體對底層膜的破壞，有人開發了兩種組合的氣體等離子體刻蝕方案，CHF3+BCl3和CF4+BCl3。在有效性方面，兩種方法都可以實現更快的蝕刻速率和更高的 InAlAs 選擇性，并且在低電壓和高射頻功率下更容易實現。兩種相似材料之間蝕刻速率的差異是由于反應產物的揮發性不同。
接觸角儀 + 等離子清洗機 + 達因筆 4. 設計和制造完整的系統，包括產品處理和自動化 5. 成熟的技術，穩健的設計，先進的組件 6. 致力于卓越的客戶服務 豐富的知識和經驗豐富的銷售和服務的銷售解釋團隊 等離子廢氣凈化設備狀況良好 等離子廢氣凈化設備 等離子技術是近年來發展起來的廢氣處理新技術。..廢氣低溫等離子處理的原理如下。氣體的放電電壓，氣體分解成電子、各種離子、原子和自由基的混合物。
大氣等離子體表面處理可以改變材料的表面并改善許多應用中的耦合。粘合強度取決于特殊性能，例如表面能或張力。常壓等離子設備-汽車工程行業的應用眾所周知，在工業生產中，大部分常壓等離子設備的預處理工藝都迫切需要車輛處理工藝來保護工作場所環境，節約成本。其中在制造工程領域的表現尤為出色，創新的等離子技術不僅給產品表面帶來了非常高的透明度，還大大提高了產品表面和粘接劑的粘接性能。實現理想加工工藝的可靠性。
與國內常用的惡臭氣體治理方法（活性炭吸附法、液體吸收法、燃燒法、生物法等）相比，低溫等離子廢氣處理設備及處理技術具有以下特點：我有。創新產品“低溫等離子體”技術是電子、化學、催化等綜合作用下的電化學過程，是一個新的創新領域。利用等離子體瞬間產生的強電場能量，電離分解有害氣體的化學鍵能，破壞廢氣的分子結構，實現凈化。
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