化學鍵解離能/(kJ/mol)解離能/(eV/mol) CH3—CH3 367.8 3.8C2H5—H 409.6 4.2CH2 = CH2 681.3 7.1C2H3-H434.74.5CH≡CH964.910.0C2H—H501.75.2 純等離子體表面處理設備下C2H6轉化反應的主要氣相產物為C2H4、C2H2、H2和CH4，晶圓plasma表面處理機器固體產物為積碳。
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這可以增加表面能。清潔管道時，晶圓plasma表面處理機器增加表面積很重要。這促進了良好的結合。等離子表面清洗活化工藝：氧等離子塑料表面張力的提高是明顯的。原因是氧自由基的反應性高，形成極性鍵，是涂液的附著點。通過這種方式，增加了表面張力，加速了潤濕并提高了附著力。管線等離子清洗機的表面處理使生產率加倍 管線等離子清洗機表面處理使工作效率加倍：管線的表面張力低，不能很好地粘附在涂漆表面上。
水性，晶圓plasma表面處理機器提高膠粘表面的表面能，不損傷表面，不引起涂層剝落或表面涂層。等離子處理后，可以提高材料的表面張力，提高處理后材料的結合強度。通常使用：1。等離子表面活化/清洗； 2.等離子處理后的鍵合； 3.等離子蝕刻/活化； 4. 5.血漿去角質；等離子涂層（親水、疏水）； 6. 加強鍵； 7.等離子涂層 8. 用于等離子等。灰化和表面改性。
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經過一段時間的負柵偏壓和溫度應力后，Si/SiO2New PMOS界面出現界面態，界面電位升高，空穴俘獲產生的界面態和固定電荷帶正電，閾值電壓向負偏移方向。相比之下，NMOS 受 PBTI 的影響要小得多，因為它的界面和固定電荷極性相互抵消。隨著新的技術節點的出現，隨著集成電路功能尺寸的縮小、柵極電場的增加以及集成電路工作溫度的升高，NBTI 已成為集成電路器件可靠性的主要破壞因素之一。
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