本機(jī)還采用旋轉(zhuǎn)噴涂的方法，晶圓等離子表面清洗設(shè)備可配合機(jī)械擦洗、高壓、軟噴等可調(diào)方式，適用于去離子水的清洗工藝，包括鋸片、晶圓打磨、晶圓拋光、研磨、CVD等，特別適用于晶圓拋光后的清洗。單晶等離子發(fā)生器在應(yīng)用上與自動(dòng)清洗臺(tái)沒有太大區(qū)別。兩者的主要區(qū)別是清洗方法和精度要求，以45nm為關(guān)鍵分界點(diǎn)。
在一個(gè)每月生產(chǎn)10萬片晶圓的20nm DARM工廠，晶圓等離子體清潔機(jī)根據(jù)市場對(duì)半導(dǎo)體材料的估計(jì)，產(chǎn)量下降1%將使利潤每年減少3000萬至5000萬美元，對(duì)邏輯芯片制造商來說，利潤甚至?xí)p少更多。此外，產(chǎn)量下降將增加制造商本已很高的資本支出。因此，過程優(yōu)化與控制是半導(dǎo)體材料生產(chǎn)過程的重中之重，制造商對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的需求越來越高，尤其是清洗過程。對(duì)于20nm以上的區(qū)域，清洗工序的數(shù)量超過所有工序的30%。
在晶圓制造、使用氮化硅可以取代硅氧化物,由于其硬度高,可以在晶片表面形成很薄的氮化硅薄膜(已廣泛應(yīng)用于硅晶片處理,膜厚度單元的描述是,厚度約數(shù)萬埃及,保護(hù)表面，晶圓等離子表面清洗設(shè)備避免劃傷，而且其出色的介電強(qiáng)度和抗氧化性也能達(dá)到良好的隔離效果。氮化硅的不足之處在于其流動(dòng)性不如氧化物，且難以蝕刻。等離子體刻蝕可以克服刻蝕的困難。等離子體刻蝕原理及應(yīng)用等離子體蝕刻是通過化學(xué)或物理作用實(shí)現(xiàn)的，或兩者兼而有之。
使用等離子體清洗機(jī)，晶圓等離子表面清洗設(shè)備不僅可以完全去除光刻膠等有機(jī)物，還可以活化粗晶圓表面，提高晶圓表面的潤濕性，使晶圓表面具有更多的附著力。等離子清洗機(jī)解決了濕法去除晶圓表面光刻膠反應(yīng)不準(zhǔn)、清洗不徹底、容易引入雜質(zhì)等缺點(diǎn)。等離子體清洗機(jī)不需要有機(jī)溶劑，對(duì)環(huán)境無污染，屬于低成本的綠色清洗方式。
晶圓等離子表面清洗設(shè)備
在封裝過程中，晶圓鍵合間隙、鍵合強(qiáng)度低、焊料球分層或脫落成為制約封裝可靠性的重要因素，必須有效去除各種污垢，而不破壞表面特性和電學(xué)性能。目前廣泛應(yīng)用的等離子體清洗方法主要有濕法和干法兩種。考慮到環(huán)境因素、原材料消耗和未來發(fā)展趨勢，濕法清洗具有很大的局限性，干洗優(yōu)于濕法清洗。在這些方面，等離子清洗發(fā)展迅速，優(yōu)點(diǎn)明顯。等離子體是電離氣體的集合，如電子、離子、原子、分子或自由基。
這類污染物通常會(huì)在晶圓表面形成一層薄膜，阻止清洗液到達(dá)晶圓表面，導(dǎo)致晶圓表面清洗不徹底，使得清洗后的金屬雜質(zhì)等污染物仍然完好無損地存在于晶圓表面。此類污染物的去除往往在清洗過程的第一步進(jìn)行，主要采用硫酸和過氧化氫等方法。等離子體設(shè)備的金屬半導(dǎo)體工藝中常見的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等。
當(dāng)發(fā)現(xiàn)新產(chǎn)品經(jīng)過真空等離子體處理，設(shè)備抽真空時(shí)間明顯延長時(shí)，首先要確認(rèn)真空等離子清洗機(jī)的真空泵以及整個(gè)真空產(chǎn)生系統(tǒng)是否存在問題。檢測方法如下:當(dāng)真空等離子體處理系統(tǒng)的空腔是空的,開始抽真空,如果它可以注入到50秒內(nèi)back-bottom真空,如30 pa,可以大致判斷抽真空能力的真空泵和沒有空氣泄漏的情況在整個(gè)真空系統(tǒng)。
如果您對(duì)等離子表面清洗設(shè)備有更多的疑問，歡迎咨詢我們(廣東金來科技有限公司)
晶圓等離子體清潔機(jī)
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