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等離子體蝕刻對PID的影響:等離子體誘導損傷(Plasmae Induced Damage, PID)是指在IC制造過程中，對pe基材的附著力各種等離子體工藝引起的MOSFET性能偏差。在等離子體環境中，放電產生大量的離子和電子，離子由于電極電位或等離子體自偏置而加速向晶圓表面移動，對襯底進行物理轟擊，促進表面的化學反應。

由此可見, 低溫等離子體的能量高于這些化學鍵的能量, 足以使PTFE表面的分子鍵斷裂, 發生刻蝕、交聯、接枝等一系列物理化學反應。 在低溫等離子體表面處理過程中, 利用各種非聚合性氣體 (Ar、He、O2、N2、H2O、空氣等) 放電, 產生相應等離子體對PTFE表面進行活化和功能化是目前的研究熱點。 按是否參加材料表面的化學反應, 等離子氣體可分為反應性氣體和非反應性氣體。

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總的來說，整個過程就是氣體不斷電離和不斷復合的過程，其目的是保證整個反應的不斷進行，從而使PI表面粗糙化，對PI表面進行改性來實現。帶FPC在B組裝過程中，需要在PI覆蓋膜上貼附增強材料，以提高增強材料與PI之間的粘合強度。如果加強面不能加工，需要對PI面進行粗化以保證可靠性。要求。要求。使用等離子清洗機處理 PI 表面具有以下特點： (1)等離子清洗后的PI表面已經非常干燥，不需要進一步的干燥過程。

在FPCB組裝過程中，會在PI覆蓋膜上組裝補強層，這需要提高補強層與PI之間的結合力，并對面層進行補強當無法加工時，應對PI表面層進行粗化和修改，以滿足可靠性的最終要求。

是物質的第四種狀態。一般來說，人們普遍認為物質有三種狀態：固體、液體和氣體。這三種狀態之間的區別取決于物質中所含能量的大小。氣態是物質三種狀態中能量最高的狀態。給氣態物質更多的能量，比如加熱，就會形成等離子體。當它們達到等離子體狀態時，氣態分子分裂成許多高活性粒子。這些裂變不是永久性的。一旦用于形成等離子體的能量消失，各種粒子就會重新組合形成原來的氣體分子。

這兩種電介質的化學鍵能非常高，通常需要使用由碳氟化合物氣體（CF4、C4F8 等）產生的高反應性氟等離子體對它們進行蝕刻。上述氣體產生的等離子體的化學性質非常復雜，往往會在基材表面形成聚合物沉積物，通常使用高能離子來去除上述沉積物。。無論是等離子清洗技術的發展，還是微電子技術的發展，都意味著時代在不斷發展，追求更好的品質。

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工作壓力對等離子清洗效果的干擾：工作壓力是等離子清洗的重要參數之一。壓力的增加意味著等離子體密度的增加和平均粒子能量的降低。以化學反應為主的等離子密度的增加可以顯著提高等離子系統的清洗速度，對pe基材的附著力但以物理影響為主的等離子清洗系統的效果尚不清楚。此外，壓力的變化可能會改變等離子清洗反應的機理。比如硅片刻蝕工藝中使用的CF4/O2等離子在低壓下起主導作用，隨著壓力的升高，化學刻蝕不斷加強，逐漸起主導作用。

這些細線的生產和組裝的電子產品、ITO玻璃表面的清潔度要求很高,產品需求可以良好的焊接性能、焊接牢固,不能有任何的有機和無機物質殘留在ITO玻璃塊ITO電極終端和集成電路連接的腫塊,因此，對pe基材的附著力樹脂對ITO玻璃的清洗是很重要的。