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只有在加入側墻保護層生成氣體氧氣之后， 真正的各向異性蝕刻才可以達成。另外，有報道說在很多低溫等離子體蝕刻過程中，等離子表面處理機離子轟擊才是決定性因素，這主要是因為降低反應溫度可以有效減慢表面化學反應。 等離子表面處理機低溫反應中應用SF6/O2連續等離子體蝕刻硅基材的過程被稱作標準超低溫過程，從而來實現蝕刻和保護并行進行。保護層的大分子薄膜中主要含有SiOxFy無機化合物。
等離子表面處理設備主要有三種操作模式：等離子表面處理改性（PST法）、等離子接枝聚合（PGP法）和等離子沉積聚合（PPD法）。 PST法是指對材料表面或極薄的表面層進行活化和蝕刻，通常稱為還原處理。等離子表面處理機中電子等活性因子的能量（最高可達20eV）遠高于有機化合物的化學鍵能（<10eV），因此具有化學活性。處理有機物時，被處理物表面的纖維易碎，提高了纖維和布匹的吸濕性、拒水性、抗污性和染色性。
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