本機還采用旋轉噴涂的方法，晶圓等離子表面清洗設備可配合機械擦洗、高壓、軟噴等可調方式，適用于去離子水的清洗工藝，包括鋸片、晶圓打磨、晶圓拋光、研磨、CVD等，特別適用于晶圓拋光后的清洗。單晶等離子發生器在應用上與自動清洗臺沒有太大區別。兩者的主要區別是清洗方法和精度要求，以45nm為關鍵分界點。
在一個每月生產10萬片晶圓的20nm DARM工廠，晶圓等離子體清潔機根據市場對半導體材料的估計，產量下降1%將使利潤每年減少3000萬至5000萬美元，對邏輯芯片制造商來說，利潤甚至會減少更多。此外，產量下降將增加制造商本已很高的資本支出。因此，過程優化與控制是半導體材料生產過程的重中之重，制造商對半導體行業的需求越來越高，尤其是清洗過程。對于20nm以上的區域，清洗工序的數量超過所有工序的30%。
在晶圓制造、使用氮化硅可以取代硅氧化物,由于其硬度高,可以在晶片表面形成很薄的氮化硅薄膜(已廣泛應用于硅晶片處理,膜厚度單元的描述是,厚度約數萬埃及,保護表面，晶圓等離子表面清洗設備避免劃傷，而且其出色的介電強度和抗氧化性也能達到良好的隔離效果。氮化硅的不足之處在于其流動性不如氧化物，且難以蝕刻。等離子體刻蝕可以克服刻蝕的困難。等離子體刻蝕原理及應用等離子體蝕刻是通過化學或物理作用實現的，或兩者兼而有之。
使用等離子體清洗機，晶圓等離子表面清洗設備不僅可以完全去除光刻膠等有機物，還可以活化粗晶圓表面，提高晶圓表面的潤濕性，使晶圓表面具有更多的附著力。等離子清洗機解決了濕法去除晶圓表面光刻膠反應不準、清洗不徹底、容易引入雜質等缺點。等離子體清洗機不需要有機溶劑，對環境無污染，屬于低成本的綠色清洗方式。
晶圓等離子表面清洗設備
在封裝過程中，晶圓鍵合間隙、鍵合強度低、焊料球分層或脫落成為制約封裝可靠性的重要因素，必須有效去除各種污垢，而不破壞表面特性和電學性能。目前廣泛應用的等離子體清洗方法主要有濕法和干法兩種。考慮到環境因素、原材料消耗和未來發展趨勢，濕法清洗具有很大的局限性，干洗優于濕法清洗。在這些方面，等離子清洗發展迅速，優點明顯。等離子體是電離氣體的集合，如電子、離子、原子、分子或自由基。
這類污染物通常會在晶圓表面形成一層薄膜，阻止清洗液到達晶圓表面，導致晶圓表面清洗不徹底，使得清洗后的金屬雜質等污染物仍然完好無損地存在于晶圓表面。此類污染物的去除往往在清洗過程的第一步進行，主要采用硫酸和過氧化氫等方法。等離子體設備的金屬半導體工藝中常見的金屬雜質有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等。
當發現新產品經過真空等離子體處理，設備抽真空時間明顯延長時，首先要確認真空等離子清洗機的真空泵以及整個真空產生系統是否存在問題。檢測方法如下:當真空等離子體處理系統的空腔是空的,開始抽真空,如果它可以注入到50秒內back-bottom真空,如30 pa,可以大致判斷抽真空能力的真空泵和沒有空氣泄漏的情況在整個真空系統。
如果您對等離子表面清洗設備有更多的疑問，歡迎咨詢我們(廣東金來科技有限公司)
晶圓等離子體清潔機
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