我們?cè)O(shè)計(jì)的低溫等離子處理設(shè)備保證了等離子的均勻分布，如何增加真空鍍鋁的附著力并在相同的處理或不同的批次中實(shí)現(xiàn)了具有優(yōu)異再現(xiàn)性的工藝質(zhì)量。關(guān)鍵是電極板的設(shè)計(jì)、氣體的流動(dòng)、氣體的排出、設(shè)備的真空度。 (2) 電極一組平行的金屬板電極根據(jù)印刷電路板電源的正負(fù)電極交替排列，位于原始等離子體區(qū)域。等離子體的原始區(qū)域以高密度集中活性等離子體，并在同一真空室中放置多組平行電極，以容納多個(gè)印刷電路板進(jìn)行同時(shí)處理。
物理反應(yīng)機(jī)理是活性粒子轟擊被清理表面，真空鍍鋁層附著力使污染物從表面被清除，最后被真空泵吸走。化學(xué)反應(yīng)機(jī)理是多種活性顆粒與污染物反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，然后由真空泵吸入揮發(fā)性物質(zhì)，從而達(dá)到清洗的目的。我們經(jīng)常使用氫氣(H2)、氮?dú)?N2)、氧氣(O2)、氬氣(Ar)、甲烷(CF4)等。
等離子清洗機(jī)產(chǎn)生等離子體的裝置是在密封容器中設(shè)置兩個(gè)電極形成電場(chǎng), 用真空泵實(shí)現(xiàn)一定的真空度, 隨著氣體愈來(lái)愈稀薄, 分子間距及分子或離子的自由運(yùn)動(dòng)距離也愈來(lái)愈長(zhǎng), 受電場(chǎng)作用, 它們發(fā)生碰撞而形成等離子體, 這些離子的活性很高, 其能量足以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵, 在任何暴露的表面引起化學(xué)反應(yīng)。
等離子處理技術(shù)是20世紀(jì)迅速發(fā)展起來(lái)的一項(xiàng)新興技術(shù)，真空鍍鋁層附著力在幾個(gè)關(guān)鍵行業(yè)（微電子、半導(dǎo)體、材料、航空航天、冶金等）、表面改性等方面的應(yīng)用具有重要意義，是一項(xiàng)技術(shù)。產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟(jì)效益。等離子處理有很多優(yōu)點(diǎn)，但最重要的是，處理效果僅限于表面而不影響整體性能。導(dǎo)管表面采用等離子法清洗、消毒、滅菌。導(dǎo)管表面的硅處理需要使用會(huì)造成環(huán)境污染的有機(jī)溶劑。氧等離子法使用的材料是氧氣或空氣，不會(huì)污染環(huán)境。一種新的環(huán)保表面處理方法。
如何增加真空鍍鋁的附著力
使原子和離子在與要清潔的表面碰撞之前達(dá)到最大速度。為了加速等離子體，需要高能量，從而可以增加等離子體中原子和離子的速度。需要低壓來(lái)增加原子之間的平均距離，然后再碰撞。這個(gè)距離稱為平均自由程。路徑越長(zhǎng)，離子就越有可能撞擊要清潔的表面。等離子清洗裝置特點(diǎn)： 1) 采用13.56MHZ射頻電源，配備自動(dòng)阻抗匹配裝置，可提供穩(wěn)定的加工工藝。 2）PLC控制方式，人機(jī)界面，安全聯(lián)鎖，控制可靠，操作方便。
（C、H、O、N）+（O+OF+CO+COF+F+e）???? CO2 ↑ + H2O ↑ + NO2 + SiO2與由Si組成的玻璃纖維之間的化學(xué)反應(yīng)： HF + Si → SiF ↑ + H2 ↑ HF + SiO → SiF ↑ + H2O ↑在等離子體化學(xué)反應(yīng)中起化學(xué)作用的粒子主要是正離子和自由基粒子。
從器件結(jié)構(gòu)的角度來(lái)看，靠近柵極的偏移側(cè)壁的寬度尺寸可以通過(guò)LDD相對(duì)于柵極的位置，或者LDD摻雜與柵極底部之間的距離來(lái)控制，如下: 增加。控制柵漏重疊容量 (CGDO)。 ） 目標(biāo)。然后后主墻（MAINSPACER）變得高度集中由于源區(qū)和漏區(qū)是嵌入的，因此可以保留LDD區(qū)，同時(shí)形成自對(duì)準(zhǔn)源區(qū)和漏區(qū)。首先在柵極上沉積一層薄膜以形成間隔物。假設(shè)薄膜沉積厚度為A，柵極高度為B，則柵極側(cè)的側(cè)墻高度為A+B。
等離子體催化的共活化用于促進(jìn)甲烷更多地轉(zhuǎn)化為目標(biāo) C2 烴。等離子區(qū)、等離子余輝區(qū)、材料收集區(qū)會(huì)發(fā)生等離子非均勻催化，但脈沖電暈低溫等離子處理器在常壓下工作，導(dǎo)致系統(tǒng)內(nèi)粒子密度高，碰撞概率高。自由基等活性粒子的壽命，活性粒子的壽命很短，主要研究等離子體區(qū)域的非均相催化作用。。
真空鍍鋁層附著力
