在等離子設備中刻蝕 CH2F2/CH3F 氣體時,進口常壓等離子清洗機生產氮化硅表面形成的聚合物的厚度比氧化硅或金屬硅酸鹽上形成的聚合物的厚度要薄得多,所以在氮化硅表面,蝕刻反應在Plasma Devices 金屬氮化物生產更厚的聚合物以獲得更高的選擇性。但是,由于許多F原子的解離,等離子體仍然對金屬硅化物造成明顯的破壞。相比之下,等離子器件中干法刻蝕氮化硅對金屬硅化物的選擇性小于濕法刻蝕。

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故而,進口常壓等離子清洗機生產該裝置成本費用不高,清理全過程不用使用昂貴的溶劑,使總體成本費用小于傳統的的濕式清理工序;7)應用等離子表面處理設備進行清潔,避免了清洗液的運輸、儲存和排放,為此生產現場容易保持清潔;8)等離子清理可處置多種多樣材質,無論是金屬材料、半導體材料、金屬氧化物或是高分子材料(如聚丙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚酰亞胺、聚酯、環氧樹脂等)。故而特別適合不耐熱、不耐溶劑的材質。

等離子清洗機滿足汽車制造中許多外表預處理工藝技術的標準,進口常壓等離子清洗機報價如車輛硅膠密封條。 等離子處理機提升汽車密封膠條貼合強度 等離子清洗機能解決汽車密封條的表面處理問題,低溫等離子表面處理機對各種汽車密封條進行表面處理,可去除打磨或涂聚酯的過程,無需底漆,提高產能,降低生產成本,不損傷膠條表面,滿足涂覆水溶性膠的環保要求。

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而超聲等離子則應用于表面除膠、毛刺打磨等處理方面效果最佳,典型的等離子體物理清洗工藝是在反應腔體中加入氬氣作為輔助處理的等離子體清洗;氬氣本身是惰性氣體,等離子體的氬氣不和表面發生反應,而是通過離子轟擊使表面清潔。典型的等離子體化學清洗工藝是氧氣等離子體清洗。通過等離子體產生的氧自由基非常活潑,容易與碳氫化合物發生反應,產生二氧化碳、一氧化碳和水等易揮發物,從而去除表面的污染物。

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根據污染物的來源和性質,污染物可大致分為四類:顆粒物、有機物、金屬離子和氧化物。 a) 氧化物:暴露于氧氣和水的半導體晶片表面形成天然氧化層。這種氧化膜不僅會干擾半導體制造中的許多步驟,而且它還含有金屬雜質,在某些條件下會移動到晶圓上并形成電缺陷。該氧化膜的去除通常通過浸泡在稀氫氟酸中來完成。 b) 顆粒:顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質。

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