施加足夠的能量使氣體電離，電暈處理機電極金屬絲就變成了等離子體狀態。等離子體的“活性”成分包括：離子、電子、活性基團、激發核素（亞穩態）、光子等。等離子體表面處理儀器就是利用這些活性組分的性質對樣品表面進行處理，達到光刻膠清洗、改性、灰化的目的。

通過適當的工藝條件對材料表層進行處理，電暈處理機電極金屬絲明顯改變材料表層的形貌，引入多種含氧基團，使表層由非極性、不易粘接變為一定極性、易粘接、親水性，提高了結合面的表面能，不會對表層造成任何損傷，也不會使表層出現涂層、電鍍層剝離。

3）聚合物表面經等離子體表面處理器改性后，電暈處理機電極金屬絲聚合物表面的化學鍵被等離子體表面處理器熔化破壞，在聚合物表面產生自由基基團，表面自由基基團與等離子體技術中的原子或化學基團的連接產生新的聚合物官能團，取代原有的表面聚合物官能團，聚合物表面改性可以改變材料表面的化學性質，但材料的整體性能不會改變。4）聚合物表面涂層：等離子體技術涂層是通過工藝氣體聚合在材料基體表面產生的薄層等離子體技術涂層。

引線鍵合前：芯片與基板鍵合后，電暈處理機電極金屬絲經高溫固化而存在于其上污染物可能包括微粒和氧化物等，這些污染物可能會從物理和化學反應中造成引線與芯片和基板之間的不完全（完全）焊接或粘接不良，導致粘接強度不足。鍵合前的等離子清洗可以提高鍵合絲的表面活性，從而提高鍵合絲的鍵合強度和拉伸均勻性。

為什么pt薄膜要電暈處理

國際上把等離子體分為熱等離子體和冷等離子體。熱等離子體的電離率接近%，電子和離子的溫度相當，屬于熱平衡等離子體。如等離子弧、火箭發動機等離子射流和熱核聚變等離子體。冷等離子體的電離率很低，電子溫度遠高于離子溫度，屬于非熱平衡等離子體。

簡單來說，主動式清洗臺將多個晶圓一起清洗，優點是設備成熟，生產率高，而單片晶圓清洗設備逐片清洗，優點是清洗精度高，背面、斜面、邊緣都可以進行有益清洗，一起防止晶圓之間的穿插污染。45nm之前，主動清潔臺可以滿足清潔要求，現在仍在使用；而45以下的工藝節點則依賴于單片晶圓清洗設備來滿足清洗精度要求。在工藝節點數量不斷減少的情況下，單片清洗設備是未來可預見技術下清洗設備的主流。

有些射流等離子清洗也使用氮氣，因為氮氣產生的等離子溫度比較低。溫度是物體冷熱的程度，從微觀角度看，溫度是粒子運動的量度。溫度越高，粒子的平均動能越大，反之亦然。在等離子體中，粒子的平均能量常被用來直接表征溫度。

由于非平衡等離子體機中電子的勢能分布不同于重粒子，它們處于不平衡狀態，可以認為含電子的氣體溫度遠高于含中性粒子和離子的氣體。為此，高能電子在碰撞下激發氣體分子，或使氣體分子分解電離。這個過程中產生的自由基可以分解發射分子。材料在化學作用下可以實現化學轉化。利用等離子體機的化學效應實現分子分解比單純依靠等離子體機的熱效應更有效。在許多情況下，有毒排放物的分子很薄。

電暈處理機電極金屬絲