因此，漆面附著力一級對氫氟酸的使用，需要兼顧硅溝槽的清洗效果和淺溝槽隔離氧化硅的損耗。 鍺硅的外延生長對硅溝槽表面性質非常敏感，很容易形成各種外延缺陷。因此對硅溝槽等離子清洗機設備干法蝕刻后的灰化工藝選擇就變得非常關鍵。灰化工藝不僅要去除殘余光阻，還要得到純凈的硅表面以利于鍺硅的外延生長。灰化工藝包含氧化型灰化，低氫混合氣體(含有4%氫氣的氮氣氫氣混合氣體)灰化、高氫混合氣體(氫含量大于20%)灰化。
利用低溫等離子體技術，怎么提高底材的漆面附著力在獲得需要的材料表面的同時，不會損失材料本身的物理性質。等離子處理不會影響材料的物理性質，經等離子處理的材料部位與未經等離子處理的部位相比，一般是視覺上難以分辨，物理上也難以分辨。 低溫等離子體表面處理通常是一個引起表面分子結構變化或表面原子排列的等離子體反應過程。等離子體表面處理即使在氧、氮等不活潑的環境中也能在低溫條件下產生高活性的基團。
在精密加工技術要求日益嚴格的今天，怎么提高底材的漆面附著力這些殘留往往會對生產過程和產品的可靠性造成不利影響。
例如，漆面附著力一級當多晶硅關鍵尺寸大于硬掩膜的關鍵尺寸時，偏置側墻在后續的P型硅鍺凹槽(PMOS Silicon Recess，PSR)等離子表面處理儀蝕刻中將會受到更多的消耗，一旦偏置側墻的厚度不足以保護頂部的多晶硅時，在后續的硅鍺外延生長中，在多晶硅頂部將有很大幾率生長出硅鍺外延形成缺陷，造成器件失效；當多晶硅關鍵尺寸小于硬掩膜時，這種缺陷出現幾率將會小很多，有利于良率提高。
漆面附著力一級
五、plasma設備用切片法 適用于續作切片觀察的行業，例如PCB和FPC加工行業，通過制作切片，利用晶相顯微鏡觀察和測量線路板孔內的刻蝕(效)果。六、plasma設備用稱重法 尤其適合檢(測)等離子對材料表面進行刻蝕和灰化后的(效)果，主要目的是驗證plasma設備的均勻性，這是比較高的指標，一般國內設備均勻性都不夠理想。。
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