等離子清洗機又稱等離子蝕刻機、等離子打膠機、等離子活化劑、等離子清洗機、等離子表面處理器、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子處理器廣泛應用于等離子清洗、等離子蝕刻、等離子晶片脫膠、等離子鍍膜、等離子灰化、等離子活化和等離子表面處理等領域。

傳統(tǒng)式的濕式清潔對鍵合區(qū)的污染物質清除不充分或是無法去除，鍍膜附著力的原理而應用等離子清洗機能有效的清除鍵合區(qū)的表層沾污并使其表層活化，能明顯提高引線的引線鍵合抗拉力，很大程度的改進芯片封裝器件的可靠性 等離子清洗機在半導體器件上的應用，在IC芯片生產加工各個方面中，等離子處理設備已經是一類不可替代的完善加工工藝，無論在處理芯片源離子的引入，或是晶元的表層的鍍膜，全部都是等離子清洗機能夠完成的。。

（一）等離子表面處理技術原理及應用等離子，鍍膜附著力的原理即第四種物質的狀態(tài)，是由被剝奪了部分電子的原子和原子電離后產生的正負電子所組成，是一種電離的氣態(tài)物質。這種電離氣體由原子、分子、原子團、離子和電子組成。通過作用于物體表面，可以實現(xiàn)物體的超凈清洗、物體表面活化、蝕刻、精加工、等離子表面鍍膜。物體處理的具體原理也因等離子體中粒子的不同而不同。此外，輸入氣體和控制功率不同。不同的是，一切都提供了對象處理的多樣化。

繼續(xù)更新。。真空等離子處理原理： 等離子是物質的存在狀態(tài)。通常，真空鍍膜附著力檢測方法物質以三種狀態(tài)存在：固體、液體和氣體，但可能還有第四種狀態(tài)，例如地球大氣層的電離層。材料。以下物質以等離子體狀態(tài)存在：快速運動的電子、活化的中性原子、分子、原子團（自由基）、電離的原子和分子、未反應的分子、原子等，該物質整體保持電中性。在真空室中，高頻電源在恒壓下產生高能混沌等離子體，等離子體與被洗物表面碰撞。用于清潔目的。

鍍膜附著力的原理

等離子所需的等離子技術主要是為真空、放電等特殊場合產生的。低壓氣體輝光法是一種依賴于等離子體活性成分的反應。主要流程如下：首先將要清洗的工件送入真空系統(tǒng)進行固定，真空泵等設備逐漸抽真空到10Pa左右的真空度。然后將等離子清洗氣體引入真空系統(tǒng)（根據清洗材料的不同，使用氧氣、氫氣、氬氣、氮氣等不同的氣體，并在真空系統(tǒng)中保持Pa左右的壓力。

這種現(xiàn)象稱為點火，VB稱為點火電壓，點火后的放電稱為自持放電。點火是從非自持放電到自持放電的過渡。自持放電具有多種性質和形式。火災后形成的放電的性質和形態(tài)與許多條件有關。主要條件是氣體的性質。 、氣體壓力、電極形狀、電極位置、電極間距、外加電壓、外加功率、頻率等。 3. 第四區(qū)和第五區(qū)的輝光放電區(qū)。氣體流量是一些常壓等離子清洗機和真空等離子清洗機處理效果穩(wěn)定的重要技??術參數。

這些活性粒子可以與表面材料發(fā)生反應，反應過程如下：電離-氣體分子-激發(fā)-激發(fā)態(tài)分子-清洗-活化表面等離子體產生的原理如下。從上圖可以看出，當對一組電極施加射頻電壓（頻率約為幾十兆赫）時，電極之間形成高頻交變電場，區(qū)域內的氣體在交變電場的攪動下產生等離子體。活性等離子體對被清洗物表面進行物理轟擊和化學反應，使被清洗物表面物質變成顆粒和氣態(tài)物質，抽真空排出，達到清洗目的。。

如氬與氧的結合，采用氬離子轟擊是清洗表面污染，氧氧化反應和表面污垢，而當氬與氧分子碰撞時可以使電荷轉移和結合，形成新的活性原理，并有很大程度的電離和離子能量降低，同時會產生更多的活性顆粒，此時，清洗效果已經達到1 + 1 & gt;但在填充各種氣體時，要考慮的因素較多，如選擇氫氣純度越高，氫離子越多，相應的清潔氧化物越快，雖然反應效率高，但作為易燃易爆氣體，氫氣有很高的危險性，所以在考慮充入混合氣體時，氫氣通常充入其他氣體，如氬氣，氫氣的比例應在相對安全的位置，以達到效率最大化。

鍍膜附著力的原理

今天我們要揭開神秘的面紗。是的，鍍膜附著力的原理它是等離子表面處理。 1 等離子表面處理這些等離子表面處理技術的應用，比如等離子殺菌、等離子美容、等離子消毒，其實就在我們身邊。等離子表面處理的原理是利用封閉或發(fā)達的放電裝置將所需氣體電離，形成具有物理和化學性質的活性粒子的聚集體。這些能量粒子與材料表面發(fā)生反應，形成揮發(fā)性或活性物質。團體。

而且，鍍膜附著力的原理由于一起清洗多個晶圓，主動清洗臺無法防止穿插污染的弊端。洗刷器也是采納旋轉噴淋的方法，但合作機械擦洗，有高壓和軟噴霧等多種可調節(jié)模式，用于合適以去離子水清洗的工藝中， 包含鋸晶圓、晶圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD等環(huán)節(jié)中，尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要位置。 單晶圓清洗設備與主動清洗臺在使用環(huán)節(jié)上沒有較大差異，兩者的首要差異在于清洗方法和精度上的要求，以45nm為關鍵分界點。