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當氮原子存在時,電暈處理機用什么做導線比較好工件表面附近和工件深處的冶金過程主要由氮的濃度梯度決定,其次是周圍等離子體參數的影響。氮等離子體表面處理不同于其他氦處理技術。在此過程中,它利用輝光放電現象來強化氮氣。以這種方式激發氮有許多非常重要的結果:(1)等離子滲氮能較好地控制成品表面的成分、組織和性能。氨化的結果是通常脆性的混合相(化合物區)不會形成。這是有色金屬材料、鑄鐵和合金鋼的一種有效的表面處理方法。
延長刻蝕時間后,電暈處理機用什么做導線比較好殘余物被去除但氮化鈦頂部受損嚴重;如果采用各向異性蝕刻(例如低電壓、高偏壓功率C4F8/Ar用于氧化硅蝕刻或Cl2/N2用于氮化鈦蝕刻),則兩種工藝的CD損失和氮化鈦輪廓都較好,但副作用是襯底材料損失嚴重。有機襯底材料取出后,各向異性氧化硅蝕刻會去除溝槽頂部和底部的薄膜,但側壁有殘留物,尤其是角部。
材料表面經等離子體表面處理器低溫處理,電暈處理機訂購材料表面發生諸多物理化學變化,產生刻蝕活性(效應),形成致密交聯層,引入含氧極性基團,親水性、附著力、可染性、生物相容性和電學性能分別得到提高。等離子體對硅橡膠的表面處理表明,N2、Ar、O2、CH4-O2和Ar-CH4-02等離子體均能提高硅橡膠的親水性,其中CH4-O2和Ar-CH4-02等離子體的親水性較好,且不隨時間而降解。
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依靠高(3-26)能電子的能量,碰撞導致乙烷分子的動能或內能增加,使乙烷的C-H和C-O鍵斷裂,生成各種自由基:C2H6+E*↠C2H5+H+E(3-27)C2H6+E*↠2CH3+e(3-28)根據表3-1的化學鍵解離能數據,反應式(3-28)(C-C鍵斷裂)大于反應公式(3-27)(C-H鍵斷裂)更容易。
最近半個世紀的巨大成就大大加深了人們對等離子體的認識;但是,一些多年來一直提出的問題,特別是反常輸運等非線性問題還沒有得到完美解決,而天體和空間觀測的進一步發展,以及受控熱核聚變和低溫等離子體應用研究的開展,必將帶來更多新問題。未來,等離子體物理學將在許多方面繼續取得進展。。
例如,在高頻電場中處于低壓狀態的氧氣、氮氣、甲烷、水蒸氣等氣體分子,在輝光放電條件下,可以分解成加速的原子和分子,從而產生電子,解離成帶正負電荷的原子和分子。這樣產生的電子在電場中加速時,會獲得高能量,與周圍的分子或原子發生碰撞。因此,電子在分子和原子中被激發,它們處于被激發或離子狀態。此時,物質存在的狀態是等離子體狀態。下面反應公式所表示的等離子體形成過程,在一般數據中經常可以看到。
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