通過等離子體清洗機的表面處理,可以改善材料的表面的潤濕能力,以便各種材料涂層,涂層和其他操作,提高附著力,債券,同時去除水中的有機污染物、油或油脂、表面的應用處理器包括治療,灰化、改性、蝕刻等工藝。等離子體清洗機不僅能徹底去除光阻等有機物，晶圓plasma表面清洗還能活化晶圓表面，提高晶圓表面潤濕性。聚合物，包括不同形狀的孔隙和長而窄的孔中的顆粒，可以很容易地用等離子體清潔器去除。

晶圓清洗是半導體制造過程中最重要、最頻繁的工藝，晶圓plasma表面活化其工藝質量將直接影響器件的良率、性能和可靠性，因此國內外企業、研究機構等對清洗工藝的研究一直在不斷開展。等離子清洗機作為一種先進的干洗技術，具有綠色環保的特點，隨著微電子工業的快速發展，等離子清洗機也在半導體行業得到越來越多的應用。

微波能量和磁場強度是電子回旋共振等離子體刻蝕室的兩個重要調節參數。等離子體密度可以通過微波能量來確定，晶圓plasma表面活化等離子體產生區與晶圓之間的距離可以通過調節磁場強度來調節，即磁場強度為875G的電子共振區位置。可以改變離子的能量分布和入射角分布。低壓是等離子體的發展方向之一。在較低的壓力下，離子在轟擊到晶圓之前碰撞更少，從而減少散射碰撞，優化離子入射角，獲得更準確的刻蝕結果。

在不破壞晶圓片等材料的表面性能、熱學性能和電學性能的前提下，晶圓plasma表面活化清洗和去除晶圓片表面的有害污染雜質，對于半導體器件的功能性、可靠性和集成度尤為重要。否則，將嚴重影響半導體器件的性能，大大降低產品的成品率，制約半導體器件的進一步發展。等離子體清洗的技術原理如下:1。在密閉的真空室中，壓力值逐漸減小，真空度不斷提高，分子間距離不斷擴大，分子間作用力越來越小。

晶圓plasma表面活化

隨著半導體技術的飛速發展，對技術的要求越來越高，特別是半導體材料晶圓的表面質量要求越來越高。其關鍵原因是晶圓片表面的顆粒和金屬碎片的損壞會嚴重影響設備的質量和成品率。在目前的IC生產中，仍有超過50%的材料因晶圓表面損傷而丟失。-在半導體材料晶圓清洗過程中使用等離子體清潔器。等離子清洗工藝簡單，操作方便，無廢棄物處理、空氣污染等問題。但它不能去除碳和其他非揮發性金屬或金屬氧化物碎片。

來自各種試劑和化學試劑的清洗液與金屬離子發生反應，形成金屬離子配合物，金屬離子配合物從晶圓表面分離。氧化物:當半導體晶圓片暴露于氧和水時，在其表面形成天然的氧化物層。這種氧化膜不僅阻礙半導體制造的許多步驟，而且還含有金屬雜質，在一定條件下可以轉移到芯片上形成電氣缺陷。這種氧化膜的去除通常通過在稀氫氟酸中浸泡來完成。

通常,如果想實現某些金屬材料焊接質量,可在焊縫清潔,如使用人造棉布擦拭和洗滌劑清洗,但也常常不能達到理想的焊接水果(TWC)或環境保護的要求,介紹了常壓等離子體表面處理更干凈、更徹底的優點，這種情況可以大大改變。等離子體主要依靠等離子體中的電子、離子、激發態原子和自由基等活性離子的活化，逐步分解金屬表面帶有(機)污染物的大分子，生成穩定、易揮發的簡單小分子，最后，粘在表面的污垢被完全清除(另外)。

其工作原理如下:在真空條件下，用定性的方法和控制等離子體可以電離氣體，利用真空泵將工作室內的空氣抽真空到30- 40pa，然后在高頻發生器的作用下，將氣體電離，等離子體(材料第四態)形成的特點是高度均勻的輝光放電，材料加工溫度接近室溫，它發出從藍色到深紫色的彩色可見光，視氣體而定。這種高度化學活化的粒子與處理過的表面相互作用，獲得表面親水、拒水、低摩擦、高清潔度、活化、蝕刻等表面修飾。

晶圓plasma表面活化

等離子體接枝的原理如下:首先,使用表面活化產生新的積極組織表面的材料,并使用這一群體產生化學共價鍵與隨后的活性物質,可以滿足應用程序的特定群體,從而達到兩個會議的目的表面特征和成鍵。。

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