等離子體表面處理器、等離子體清洗機(jī)3DNAND蝕刻工藝:與平面NAND flash技術(shù)相比，氧刻蝕等離子體表面處理器、等離子體清洗機(jī)的3DNAND蝕刻技術(shù)在設(shè)備結(jié)構(gòu)上發(fā)生了很大的變化，與以往有很大的不同。該工藝的主要新特點(diǎn)是圍繞三維結(jié)構(gòu)制備，包括步驟刻蝕;②通道通孔刻蝕;(3)切口刻蝕;等離子體表面處理機(jī)等離子清洗機(jī)步進(jìn)蝕刻步進(jìn)蝕刻的目的是將每個(gè)控制柵層分別連接起來(lái)進(jìn)行后續(xù)的加工。

由于H是一種輕離子，氧刻蝕機(jī)器與He相比幾乎不會(huì)腐蝕氮化硅薄膜，所以被用于薄膜加工。在電容耦合等離子體蝕刻機(jī)中，可以通過(guò)調(diào)節(jié)偏壓功率和注入時(shí)間來(lái)調(diào)節(jié)氮化硅表面膜上氫的濃度和注入深度。氮化硅膜中H的濃度與隨后的氫氟酸刻蝕速率密切相關(guān)。通過(guò)控制氮化硅膜中氫的濃度，實(shí)現(xiàn)了氮化硅膜與整體氮化硅膜蝕刻的選擇比。當(dāng)?shù)入x子體火焰蝕刻停在鍺硅材料的側(cè)壁蝕刻時(shí)，采用這種類(lèi)原子層蝕刻方法可以將硅的損耗控制在6Å以內(nèi)?；蚋?。。

在等離子體表面處理機(jī)等離子體蝕刻過(guò)程中，氧刻蝕設(shè)備與含氟聚合物層相比，SiOxFy無(wú)機(jī)復(fù)合膜更難蝕刻，在蝕刻過(guò)程中需要較高的離子轟擊能量才能去除保護(hù)層底部的硅槽，并避免明顯的橫向蝕刻，可以形成結(jié)構(gòu)更垂直的側(cè)壁。雖然較高的離子轟擊能量會(huì)進(jìn)一步提高光刻膠的刻蝕速率，但在非常低的溫度下(低于-℃)，光刻膠的刻蝕速率可以降低到幾乎可以忽略不計(jì)，以抵消轟擊能量增加的影響。

進(jìn)口機(jī)器的價(jià)格是國(guó)產(chǎn)機(jī)器的幾倍，氧刻蝕設(shè)備雖然很多人都說(shuō)效果很重要，但是憑我們的單一經(jīng)驗(yàn)，客戶通常是要達(dá)到自己想要的效果，然后在幾個(gè)品牌中選擇一個(gè)價(jià)格較低的。人，在錢(qián)面前，是那么逼真!國(guó)外等離子清洗機(jī)品牌今天就不談了，今天就說(shuō)國(guó)內(nèi)的等離子清洗機(jī)品牌。說(shuō)到國(guó)產(chǎn)等離子清洗機(jī)品牌，就不得不說(shuō)到很多國(guó)內(nèi)公司的一個(gè)共同的問(wèn)題，那就是他們不愿意投入研發(fā)，他們知道一個(gè)強(qiáng)大的山寨，然后打價(jià)格。

氧刻蝕

因此，從(專(zhuān)業(yè))的角度來(lái)看，大氣等離子體設(shè)備并不是適用于所有的設(shè)備。所以在購(gòu)買(mǎi)設(shè)備的時(shí)候，要看是什么工藝，還要看設(shè)備的材質(zhì)等等，是否適合使用這種等離子設(shè)備。真空等離子體設(shè)備是等離子體設(shè)備中常用的設(shè)備。其設(shè)備特性已達(dá)到非常高的水平。真空等離子體設(shè)備不影響設(shè)備特性。這樣，客戶在購(gòu)買(mǎi)一臺(tái)機(jī)器時(shí)就可以做一個(gè)初步的了解，自己的設(shè)備更適合什么類(lèi)型的等離子設(shè)備。然后你做了一個(gè)選擇，結(jié)果就不一樣了。

特別是第一次使用這臺(tái)機(jī)器時(shí)，一定要有專(zhuān)門(mén)的技術(shù)人員在一旁指導(dǎo)，以確保操作者熟悉機(jī)器的操作流程。而且一些小公司對(duì)機(jī)器的設(shè)計(jì)有一些地方不合理，那么在實(shí)際操作的過(guò)程中，就存在著小故障，如果出現(xiàn)這種問(wèn)題，應(yīng)該做的就是停機(jī)，然后打電話給廠家看如何解決。因?yàn)槊颗_(tái)機(jī)器都有自己的設(shè)計(jì)思路，機(jī)器出了問(wèn)題就去找設(shè)計(jì)師，很快就會(huì)找到問(wèn)題，還可以在第一時(shí)間解決!。

電阻是電氣設(shè)備中Z量較多的元件，但不是Z損失率較高的元件。在Z開(kāi)路時(shí)，電阻損壞是常見(jiàn)的，電阻增加很少，電阻減少也很少。普通碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻和保險(xiǎn)電阻。前兩種電阻應(yīng)用Z寬,損傷的特點(diǎn)是低電阻(下圖)和高阻(kω上圖)損傷率高,中間電阻(如數(shù)百歐元數(shù)萬(wàn)歐元)很少損害;第二,當(dāng)?shù)碗娮钃p壞,通常是燒焦和黑色,而且很容易發(fā)現(xiàn)，而高阻損壞時(shí)痕跡很少。繞線電阻一般用于大電流限制且電阻小的場(chǎng)合。

很多材料在出廠時(shí)，原本依靠電暈處理效果，但等離子體處理效果遠(yuǎn)好于普通處理。真空等離子清洗機(jī)設(shè)備參數(shù):我們提供2升至23升及以上定制腔室等離子清洗機(jī)，這里我們主要介紹小型真空等離子清洗機(jī)。溫度控制系統(tǒng)用于確保對(duì)熱/濕敏感的物料不被損壞。

氧刻蝕

它的主要原則步驟是:首先將需要清理工件進(jìn)入真空室固定,啟動(dòng)真空泵和其他設(shè)備,真空,真空放電約10 pa真空度;然后介紹了等離子體清洗氣體進(jìn)入真空室(根據(jù)不同的清洗材料,選擇不同的氣體,如氧氣、氫氣、氬氣,在真空室中，氧刻蝕在電極和接地裝置之間施加高頻電壓，將氣體擊穿，通過(guò)輝光放電使氣體電離，產(chǎn)生等離子體。在真空室中產(chǎn)生的等離子體完全覆蓋被清洗的工件后，清洗過(guò)程持續(xù)幾十秒到幾分鐘。