所謂的暗鞘層將在所有器壁外表構(gòu)成，金屬附著力促進(jìn)樹脂暗鞘層常被以為是絕緣體或電容，因而能夠以為功率經(jīng)過一個(gè)電容器轉(zhuǎn)移至等離子體。圖3常用CCP源的腔室結(jié)構(gòu)在頻率為1MHz和 MHz之間，自由電子能夠隨同電場(chǎng)的改變?nèi)〉媚芰浚x子由于質(zhì)量較重，往往不會(huì)隨同改變的電場(chǎng)運(yùn)動(dòng)。

3D時(shí)代刻蝕技術(shù)的創(chuàng)新固然重要，金屬附著力促進(jìn)樹脂但等離子清洗機(jī)刻蝕機(jī)的穩(wěn)定性和缺陷控制能力也很重要，因?yàn)檫@些會(huì)直接影響量產(chǎn)的質(zhì)量和進(jìn)度，尤其是在這個(gè)日新月異的時(shí)代，失去先機(jī)就可能失敗。如上所述，EED-I蝕刻技術(shù)的改進(jìn)已經(jīng)在各種機(jī)器上商業(yè)化，并在3D半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)上占有一席之地。EED方向的學(xué)術(shù)改進(jìn)包括串聯(lián)ICP（串聯(lián)）和中性粒子束刻蝕，利用脈沖產(chǎn)生負(fù)離子，然后通過束流能量控制區(qū)。但后者的遴選比例是一個(gè)薄弱環(huán)節(jié)。

在90nm以前的技術(shù)工藝中，金屬附著力促進(jìn)樹脂主要使用等離子清洗設(shè)備電容耦合(Capacity Coupled Plasma,CCP)的介質(zhì)蝕刻機(jī)臺(tái)來進(jìn)行偏移側(cè)墻的蝕刻。這種設(shè)備屬于工作在高壓力下的低密度等離子體設(shè)備，蝕刻均勻性和工藝穩(wěn)定性相對(duì)較差。同時(shí)由于離子的發(fā)散的方向性,側(cè)墻的側(cè)壁角度的一致性也難以控制。

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等離子體的“活性”組分包括：離子、電子、活性基團(tuán)、激發(fā)態(tài)的核素（亞穩(wěn)態(tài)）、光子等。等離子清洗機(jī)就是通過利用這些活性組分的性質(zhì)來處理樣品表面，從而實(shí)現(xiàn)清潔等目的。  等離子體和固體、液體或氣體一樣，是物質(zhì)的一種狀態(tài)，也叫做物質(zhì)的第四態(tài)。對(duì)氣體施加足夠的能量使之離化便成為等離子狀態(tài)。等離子體的”活性”組分包括：離子、電子、活性基團(tuán)、激發(fā)態(tài)的核素（亞穩(wěn)態(tài)）、光子等。

等離子表面處理設(shè)備利用這些離子、光子等活性成分對(duì)工件表面進(jìn)行處理，以達(dá)到其清洗目的。顯然，這種清潔效果要優(yōu)于常規(guī)清潔。那么等離子表面處理設(shè)備能否替代超聲波清洗機(jī)呢？毫不奇怪，超聲波清洗是表面可見物體的清洗設(shè)備，而等離子表面處理設(shè)備則不是。等離子表面處理設(shè)備清洗表面有機(jī)物，改質(zhì)材料，提高（去除率，表面活性（化學(xué)）當(dāng)量（效果），因此超聲波清洗機(jī)是不可替代的。是相輔相成的。

顯然熱等離子體不適合加工材料，因?yàn)榈厍蛏蠜]有任何材料能承受熱等離子體的溫度。與熱等離子體相反，低溫等離子體的溫度僅在室溫或略高，電子的溫度比離子和原子高，通常達(dá)到0.1到10電子伏。而且由于氣體的壓力很低，電子和離子之間很少發(fā)生碰撞，所以不能達(dá)到熱力學(xué)平衡。由于低溫等離子體的溫度在室溫范圍內(nèi)，可以用于材料領(lǐng)域。低溫等離子體通常是通過氣體放電獲得的。

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