沒有進行處理的ITO表面形貌與等離子體處理后的ITO表面形貌分析發現，北京加工等離子清洗機腔體優質服務ITO表面的平均粗造度和峰谷距離均有明顯降低，其表面顆粒半徑也降低不少。平均粗糙度和表面顆粒半徑的減小使得ITO與有機層的接觸面增大，有利于氧原子附著。
從 16 / 14nm 節點開始，北京加工等離子清洗機腔體優質服務在 3D 晶體管構建、更復雜的前后端集成、EUV 光刻技術的推動下，工藝數量大幅增加，對工藝和工藝清潔的要求也大幅增加。去做。從全球市場份額來看，單晶圓清洗設備的表現優于主動清洗站，自 2008 年業界推出 45nm 節點以來，已成為最重要的清洗設備。據 ITRS 稱，2007-2008 年是 45nm 工藝節點量產的開始。
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C2烴收率隨放電間距增大略成峰型變化，北京加工等離子清洗機腔體優質服務在放電間距為10 mm時，C2烴收率較高，為12.7%；除放電間距8 mm 時，CO收率較低(31.3%)之外，當放電間距在8~16 mm變化時，CO收率為36%左右。
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