經過多次實驗，氨水對硅片表面的活化作用得出了用氧氣和氬氣處理的具體方案，并成功應用于后續的結合工藝。氧氣和氬氣都是非聚合物氣體。等離子體與硅片表面的二氧化硅層相互作用后，這些活性原子和高能電子破壞了原有的硅氧鍵結構，使其不發生交聯。表面上存在許多懸空鍵，因為被激活原子的電子結合能由于結合和表面活化而向更高能量方向移動，而這些懸空鍵與OH基團鍵合，以形式存在。形成穩定的結構。

廣泛應用于印刷包裝行業、光電制造行業、汽車制造行業、金屬及涂裝行業、陶瓷表面處理、電纜行業、狹窄塑料表面、數碼產品表面、金屬表面處理。。目前去除硅片表面顆粒的主要方法有兩種:一種是標準洗滌(RCA)洗滌技術，硅片表面活化另一種是使用等離子洗衣機洗滌。在RCA洗滌技術中，大多數洗滌單元都是多槽浸漬洗滌系統。洗滌液1 (SC-1)(NH40H+H202)-HF+H20)液1和液2 (SC-2)(HCl+H202)。

與等離子刻蝕相比，氨水對硅片表面的活化作用濕法刻蝕工藝具有溫度低、效率高、成本低的優點。濕法刻蝕工藝可以有效去除硅片上的磷硅玻璃和金屬離子，鈍化和清洗去除殘留物。這提高了使用硅晶片的效率。與等離子蝕刻相比，濕法蝕刻系統是通過化學蝕刻溶液與被蝕刻物體之間的化學反應將其去除的蝕刻方法。大多數濕法蝕刻系統是各向同性蝕刻，不易控制。特點：適應性強，表面均勻，對硅片損傷小，幾乎適用于所有金屬、玻璃、塑料等材料。

目前用于等離子清洗機改性的反應性的氣體有O2、N2、CO2、NH3和空氣等，硅片表面活化非反應性氣體有Ar、He等惰性氣體。氨氣(NH3)常溫常壓下為無色、有刺激性惡臭的劇毒氣體，在空氣中能發生爆炸燃燒。相對密度比空氣輕，標準狀況下，一體積水能溶解700體積氨氣(飽和濃度35.28%)，氨水呈堿性，有腐蝕性。氨氣用途廣泛，用于生產硝酸、化肥、炸藥等含氮化合物，還用作制冷劑。氨氣是一種化學性質很活潑的氣體。

氨水對硅片表面的活化作用

..電暈放電技術常用于卷材涂層工藝中。這對許多聚合物來說是有效且經濟的。新開發的表面處理工藝根據實際應用將高頻廠中的混合氣體電離，結合直流磁控濺射技術，利用等離子處理技術對表面進行氧化、氮化、氨水處理或水解。 .提高材料的表面能及其結合性能。此外，所選材料的表面形貌對阻擋層的性能有顯著影響。例如，光滑、平坦的基材很容易涂上高質量的阻隔層。。

..電暈放電技術常用于卷材涂層工藝中。這對許多聚合物來說是有效且經濟的。新開發的表面處理工藝根據實際應用將高頻廠中的混合氣體電離，結合直流磁控濺射技術，利用等離子處理技術對表面進行氧化、氮化、氨水處理或水解。 .提高材料的表面能及其結合性能。此外，所選材料的表面形貌對阻擋層的性能有顯著影響。例如，光滑、平坦的基材很容易涂上高質量的阻隔層。。

Wang和Ohtsuka采用催化活化法研究CO2氧化CH制C2烴反應，結果表明部分堿土金屬氧化物如CaO具有較高的催化活性，可在一定程度上提高C2烴選擇性。在等離子體條件下考察了MgO/Y-Al2O3、CaO/Y-Al2O3、SrO/Y-Al2O3和BaO/Y-Al2O3作用下CO2氧化CH4制C2烴反應(表4-2)。

  等離子表面清洗設備的應用：   1、清洗光學器件、電子元件、 清洗光學鏡片、電子顯微鏡片等多種鏡片和載片，移除光學元件、半導體元件等表面的光阻物質，清洗ATR元件、各種形狀的人工晶體、天然晶體和寶石等;   2、牙科領域：對硅酮壓模材料和鈦制牙移植物的預處理，增強其浸潤性和相容性;   3、醫用領域：修復學上移植物的表面預處理，增強其浸潤性、粘附性和相容性，醫療器械的消毒和滅菌;  4、改善粘接光學元件、光纖、生物醫學材料、宇航材料等所用膠水的粘和力;  5、去除金屬材料表面的氧化物;  6、使玻璃、塑料、陶瓷、高聚合物等材料表面活化，增強其表面粘附性、浸潤性、相容性;  7、高分子材料表面修飾。

氨水對硅片表面的活化作用

舉例來說，硅片表面活化很多人都會有這樣的體驗：自動洗衣機的手柄在使用一段時間之后就會脫落，這極大地影響了使用體驗。由于PP把手與自動洗衣機機身粘接力不足，在日常使用中，若采用深圳等離子處理設備表面處理技術，可使自動洗衣機手柄與自動洗衣機機身間形成活化，提高PP手柄與自動洗衣機機身間的牢度和耐久性。今日 主要向大家介紹自動洗衣機和電磁爐等離子技術的應用。

在250 ~ 800 nm的波長范圍內，氨水對硅片表面的活化作用等離子體作用下甲烷轉化過程中產生的主要活性物質有CH (430.1 ~ 438.7nm)、C (563.2 nm, 589.1 nm)、C2 (512.9 nm, 516.5 nm)和H (434.1 nm, 486.1 nm, 656.3 nm)。在等離子體放電區域，首先產生高能電子。