目前，ICP刻蝕機器等離子清洗機RIE/ICP刻蝕主要用于電阻變化存儲器，存儲單元的刻蝕輪廓過于傾斜，導致刻蝕后金屬電極橫向腐蝕嚴重。隨后的工藝優化（如功率脈沖）或引入新的反應氣體應該能夠取得進一步的進展。等離子清潔器中性粒子束注入 (NBE) 是磁隧道結蝕刻所獨有的，它往往會在當前 RRAM 應用中的電阻變化開關層中形成金屬氧化物。。

_ 等離子表面清洗系統目前與LCD屏幕、Leds、IC芯片、pcb印刷電路板、smt部署器、貼片電感器和柔性電路相結合。電路板和觸摸顯示器的清潔和蝕刻。等離子清洗過的IC芯片可以顯著提高焊盤的抗拉強度，ICP刻蝕設備用久了要保養降低電路故障的可能性。殘留的光傳感器抗蝕劑、環氧樹脂粘合劑、有機溶液污泥和其他暴露于等離子體的有機化學污染物會被快速去除。 PCB 電路板制造商使用等離子表面清潔系統進行脫脂和蝕刻，并將絕緣導體插入孔中。

烴基、氨基、羧基等官能團為活性基團，ICP刻蝕設備用久了要保養能顯著提高材料的表面活性。。了解等離子蝕刻的文章 了解等離子蝕刻的文章 為去賭博而引入，它在 1980 年代成為集成電路領域中成熟的蝕刻技術。常用的蝕刻等離子體源包括電容耦合等離子體（CCP電容耦合等離子體）、電感耦合等離子體（ICP）和微波ECR等離子體（微波電子回旋共振等離子體）。

圖 7 離子撞擊效應 3. 電感耦合等離子體 (ICP) 如圖 8 所示，ICP刻蝕機器選擇了兩種類型的電感耦合等離子體源：圓柱形和平面結構。射頻電流流過線圈，在腔室中產生電磁場，激發氣體產生等離子體，偏置源控制離子沖擊能量。這樣，等離子體密度和離子沖擊能量可以獨立控制。因此，ICP蝕刻機提供了更多的控制方法。

ICP刻蝕

圖 8 兩種方法的 ICP 結構 用于等離子刻蝕的 ICP 源一般為平面結構，這樣很容易獲得可調的等離子密度和等離子均勻分布。此外，平面 ICP 源中使用的介電窗口也易于加工。石英和陶瓷是常用的介電窗口材料。此外，電感耦合ICP源也有電容耦合。介電窗口作為線圈和等離子體之間的耦合層，當線圈的輸出電壓達到2000V時形成電容耦合。

這種電容性高壓可以在等離子體放電中點燃并持續存在，但是當部分高壓形成時，會腐蝕介質窗口，產生顆粒，并且可以污染晶圓，因此存在性。通常選擇串聯在線圈末端的法拉第屏蔽或接地電容器來減少電容耦合。圖 9 法拉第屏蔽 ICP 源結構。通常認為乙炔在等離子發生器條件下通過兩種途徑由甲烷生產：通常認為甲烷在等離子體發生器條件下通過兩種途徑產生乙炔： C2 烴的產率增加了 35%。

此外，這種方法環保，等離子清洗不需要使用危險的化學溶劑，也不用擔心環境污染，可以節省大量成本。。3D邏輯與內存時代等離子清洗機低溫等離子刻蝕技術演進 3D邏輯與內存時代等離子清洗機低溫等離子刻蝕技術演進：繼2014年NAND量產后，正式進入3D時代（3）我沖進了NAND??）。 2015年，Logic產品也進入量產三維結構的鰭式晶體管。

如上所述，EED線的改進蝕刻技術已在各種機器上實現商業化，并在3D半導體產品市場上確立了地位。在 EED 方向上提高學術冷感還包括串聯 ICP (Tandem) 和利用脈沖產生的負離子通過束流能量控制區形成中性粒子束蝕刻，但后者的選擇性是一個薄弱環節。通常，IED 方向的超高頻射頻源可以實現窄離子能量峰值。這有助于實現高蝕刻選擇性，但 UHFRF 通常會提供駐波效應。

ICP刻蝕機器

特別是對于大晶圓，ICP刻蝕機器它會影響等離子體的均勻性。目前向IED方向改進的商用機是東京電子開發的CCP機，其上電極采用負直流脈沖，主要用于刻蝕具有超高縱橫比的存儲器介電材料。該機制是在RF同步脈沖關閉時增加DC量，從而增加離子沖擊能力和電荷中和能力。在ICP的方向上，學者們也提出了類似的想法。也就是說，在同步脈沖的基礎上，直流電通過上電極（負極）或下電極（正極）。

由于源射頻和等離子體清潔器 ICP 的偏置射頻之間的耦合可以忽略不計，ICP刻蝕機器因此該直流脈沖的引入允許精確控制不同材料之間蝕刻的高選擇性比。可以達到ALE刻蝕的面積，遠遠優于傳統的基于氣體脈沖的ALE刻蝕四步法（吸附、排氣、反應、排氣）。除了改進 EED 和 IED 的方向，Lam 的混合脈沖（AMMP、氣體、射頻功率等）、超高偏置射頻源和蜂窩（Hydra）靜電卡盤加熱也是等離子清潔蝕刻機。