這類殘渣的清除常運用有機化學方式來進行,根據各類化學試劑和化學物品配置的清潔液與金屬材料離子反應,構成金屬離子的絡合物,擺脫晶圓表層。二、plasma金屬氧化物 半導體芯片晶圓被暴露在含氧及水的前提條件下表層會構成自然的空氣氧化層。這層空氣氧化塑料薄膜不僅會阻礙半導體的很多工藝程序,還涵蓋了某些金屬材料殘渣,在相應前提條件下,兩者會遷移到晶圓中構成電力學瑕疵。
等離子清洗機是利用等離子體發生器產生低溫等離子體進行表面改性的設備。應用高溫對材料或通過加速電子、離子等方式向材料提供能量，UV打印油墨附著力中性材料被電離成大量帶電粒子(電子、離子)和中性粒子混合組成的混合狀態稱為等離子體。等離子體整體上是電中性的，它是除固體、液體和氣體外的第四種物質狀態。等離子體中粒子的能量通常為幾到幾十電子伏，大于高分子材料的鍵能，能完全打破有機大分子的化學鍵而形成新的鍵。
等離子體在HDI板盲孔清洗時一般分為三步處理，UV打印油墨附著力第一階段用高純的N2產生等離子體，同時預熱印制板，使高分子材料處于一定的活化態；第二階段以O2、CF4為原始氣體，混合后產生O、F等離子體，與丙烯酸、PI、FR4、玻璃纖維等反應，達到去鉆污的目的；第三階段采用O2為原始氣體，生成的等離子體與反應殘余物使孔壁清潔。在等離子清洗過程中，除發生等離子化學反應，等離子體還與材料表面發生物理反應。
2）將等離子體清洗用氣體引入真空室內，uv打印油墨附著力不好保持室內壓力穩定。根據清洗材料的不同，可分別使用氧氣、氬氣、氫氣、氮氣、四氟化碳等氣體。3）在真空室內電極與接地裝置之間施加高頻電壓，使氣體被擊穿，通過輝光放電產生等離子體，使真空室內產生的等離子體完全覆蓋待處理工件，開始清洗作業，清洗處理一般持續幾十秒至幾十分鐘4）清洗后切斷電源，通過真空泵將氣體和氣化的污物泵出。
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這類污染物通常會在晶圓表面形成有機薄膜，以防止清洗液到達晶圓表面，導致晶圓表面清洗不徹底，使得清洗后的晶圓表面上金屬雜質等污染物保持完好。此類污染物的去除通常在清潔過程的一開始的步驟進行，主要使用硫酸和過氧化氫。1.3金屬：半導體技術中常見的金屬雜質包括鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等。這些雜質的來源主要包括各種容器、管道、化學試劑以及半導體晶片加工過程中的各種金屬污染。
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