問題 3：人們?yōu)槭裁匆芯考す?等離子體相互作用？目前，高壓等離子體刻蝕研究激光-等離子體相互作用的主要動力是激光和等離子體的慣性約束聚變。我們的化石能源有一天會耗盡嗎？能源短缺，新能源技術(shù)研究迫在眉睫。慣性約束聚變的原理是利用激光將等離子體限制在高溫、高壓、高密度的狹小空間內(nèi)，等離子體中的原子核相互碰撞聚集，引起聚變發(fā)射。大量的能量。聚變沒有聚變，是一種比較清潔的能源。太陽可以發(fā)出光和熱，因為聚變?nèi)栽诶^續(xù)。

如今，高壓等離子氫化四氯化硅制備多晶硅這種方法開始從人們的視野中消失，并逐漸退出歷史舞臺。目前比較流行的是電暈機加工方法。電暈機也稱為火焰機和火花機，其原理類似于燃燒。電暈處理方法通常使用高頻、高壓電源在放電工具架和刀片之間的間隙中產(chǎn)生放電，產(chǎn)生低溫等離子體區(qū)域并改性塑料薄膜材料的表面。在這個過程中，氧氣也被電離產(chǎn)生臭氧。它氧化塑料薄膜的表面并將其從非極性轉(zhuǎn)變?yōu)闃O性。此外，電子的沖擊使薄膜表面變得粗糙，增加了表面的張力。

其原理是利用高頻高壓電暈放電（5000-15000V/m2高頻交流電壓）對被處理塑料表面產(chǎn)生低溫等離子體。塑料表面與自由基發(fā)生反應(yīng)，高壓等離子體刻蝕聚合物發(fā)生交聯(lián)。更粗糙的表面和對質(zhì)子溶劑更好的潤濕性——這這些離子通過電擊滲透到印刷材料的表面，滲透并破壞其分子結(jié)構(gòu)，并使其處理過的表面分子發(fā)生氧化和極化，離子沖擊侵蝕表面和基材的表面，增加表面附著力。等離子處理器用于在線加工，可用于各種生產(chǎn)線上的曲面加工。

等離子清洗機的處理可以提高材料表面的潤濕性，高壓等離子氫化四氯化硅制備多晶硅進行各種材料的涂鍍、電鍍等操作，提高粘合強度和粘合強度，去除有機污染物，油類和油脂增加。同時。等離子表面處理機等離子清洗機是一種新型的印刷包裝前輔助設(shè)備，可以提高表面能和附著力。等離子表面處理設(shè)備，也稱為等離子清洗機，向放電電極施加高頻和高壓。被處理物的表面分子直接或間接作用，在表面分子鏈中生成羰基、含氮基團等極性基團，大大提高了表面張力。

高壓等離子體刻蝕

2、塑料薄膜材料預(yù)處理的電暈處理方法 電暈處理方法通常采用高壓和高壓電源，電暈放電發(fā)生在放電刀架和刀片之間的間隙，低溫等離子區(qū)發(fā)生和材料的塑料薄膜變了。在這個過程中，氧氣也被電離產(chǎn)生臭氧，臭氧氧化塑料薄膜的表面并將其從非極性轉(zhuǎn)變?yōu)闃O性。此外，電子殼可以使表面變粗糙。改善薄膜和表面張力。電暈處理比較簡單實用，可以連續(xù)生產(chǎn)，但放電均勻性差，處理效果有限，薄膜易碎。電暈處理一直難以控制和克服。

生物污染（降低）涂層質(zhì)量。等離子處理是依靠高頻源在真空狀態(tài)下產(chǎn)生的高壓交流電場將工藝氣體振動成高能離子，從而分解物品表面的顆粒污染物。然后用工作氣體將其除去。實踐證明，這種方法可以有效去除硫酸陽極氧化膜表面的粘合劑轉(zhuǎn)移等污染物。如今，等離子處理已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和光電子行業(yè)，并逐漸在光學(xué)、機械、汽車、航空航天、聚合物和污染控制等行業(yè)得到越來越廣泛的應(yīng)用。

蝕刻副產(chǎn)物可被 350°C 以上的高溫激活，但相關(guān)的磁性能也顯著降低。一般來說，后等離子清洗機刻蝕工藝（如后He/H2刻蝕工藝）、濕法清洗工藝優(yōu)化、多工藝集成機（薄膜沉積、刻蝕和清洗模塊位于同一平臺上）。真空環(huán)境始終保持）改善。鹵素氣體的替代方法是使用非腐蝕性蝕刻氣體并主要通過物理沖擊進行磁性隧道結(jié)蝕刻。電感耦合等離子體在等離子清洗機中具有較高的等離子密度，是常用的。

【等離子設(shè)備的刻蝕效果】 刻蝕效果產(chǎn)物中的高分子材料[C、H、O、N]通過與等離子[O+OF+CF3+CO+F+...]的化學(xué)反應(yīng)去除（去除）。 ）去做。殘留污染物。 [等離子設(shè)備的交聯(lián)效果] ?在稀有氣體中表現(xiàn)出交聯(lián)效果。單鍵斷裂并重新排列以形成雙鍵或三鍵，或形成氧自由基和另一個鍵的組合的鍵。 【等離子裝置的燒蝕作用】 燒蝕作用是在聚合物表面受到?jīng)_擊時，去除與聚合物鏈的弱鍵。

高壓等離子體刻蝕

通訊、汽車、消費電子、光電、紡織、半導(dǎo)體和精密制造在表面涂層、表面膠合和表面清潔方面尤為突出。真空等離子清洗系統(tǒng)的優(yōu)點 真空等離子清洗系統(tǒng)的優(yōu)點 各向異性反應(yīng)離子刻蝕可以獨立完成清洗和活化任務(wù)。等離子限制環(huán)將等離子直接聚焦在晶圓上，高壓等離子氫化四氯化硅制備多晶硅加速蝕刻，提供均勻的等離子涂層，并將等離子與晶圓本身隔離，而不是與周圍區(qū)域隔離。由于可以提高蝕刻速度，因此無需提高電極溫度或增加吸盤偏壓。

更常用的方法稱為 Czochralski 方法。如下圖所示，高壓等離子體刻蝕將高純多晶硅置于石英坩堝中，由周圍的石墨加熱器連續(xù)加熱，使溫度保持在1400℃左右。通常，爐內(nèi)的空氣是惰性氣體并熔化。它會引起不需要的化學(xué)反應(yīng)而不會引起多晶硅。為了形成單晶硅，控制晶體取向：用多晶硅熔體旋轉(zhuǎn)坩堝，將晶種浸入其中，用拉桿反方向旋轉(zhuǎn)晶種，用硅熔體慢慢垂直拉動。 ..熔融的多晶硅附著在晶種底部，沿晶種晶格排列方向連續(xù)生長。