硅鍺溝槽界面對(duì)等離子清洗設(shè)備蝕刻后Sigma溝槽形狀和硅鍺外延生長(zhǎng)的影響：眾所周知，天津等離子清洗機(jī)設(shè)備品牌在等離子清潔器中對(duì)硅進(jìn)行干法蝕刻過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的聚合物副產(chǎn)物。設(shè)備。密集區(qū)域的高反應(yīng)總量使副產(chǎn)物更容易聚集。在圖案化硅實(shí)驗(yàn)中，緊密圖案化區(qū)域中的厚蝕刻副產(chǎn)物導(dǎo)致比稀疏圖案化區(qū)域更淺的深度。這種深度差異在 TMAH 掩埋工藝之后變得更加明顯，甚至可能阻止正常形狀的 sigma 型硅溝槽的形成。
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等離子處理系統(tǒng)通過(guò)在密閉容器中設(shè)置兩個(gè)電極產(chǎn)生電場(chǎng)來(lái)產(chǎn)生等離子，天津等離子體清洗機(jī)品牌并使用真空泵達(dá)到一定的真空度。稀有分子間距和分子或離子的自由運(yùn)動(dòng)距離正在增加。在電場(chǎng)的作用下，它們碰撞形成等離子體。這些離子非常活躍，它們的能量足以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵。表面引起化學(xué)反應(yīng)，不同氣體的等離子體具有不同的化學(xué)性質(zhì)。例如，氧等離子體具有很強(qiáng)的氧化性，它會(huì)氧化光并反應(yīng)產(chǎn)生氣體，從而實(shí)現(xiàn)清潔效果。
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五。案例總結(jié)： 1）GM-2000型，天津等離子清洗機(jī)設(shè)備品牌速度1m/min～10m/min，噴頭高度8～12mm，產(chǎn)量550W到0W，各種情況混用，加工效果極小； 2）PM-G13A機(jī)型，情況與GM-2000機(jī)型類(lèi)似，加工效果微乎其微； 3）從GD-5真空吸塵器正面等離子吸塵器測(cè)試的經(jīng)驗(yàn)，知道它很難處理，所以我們直接用氬氣和氧氣連接測(cè)試。混合比為10：1，流量為0.1NL/MIN至1.0NL/MIN。
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充放電低壓真空等離子清洗機(jī)必須采用獨(dú)特的高頻電纜。高頻電纜采用高純T2無(wú)氧紫銅鍍金加工而成，具有傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)平穩(wěn)、傳輸速度快、絕緣層耐高溫、延展性好、雙向屏蔽掉層的優(yōu)點(diǎn)和抗干擾能力強(qiáng)等特點(diǎn)。假使使用劣質(zhì)的高頻電纜，就會(huì)危害機(jī)器設(shè)備的實(shí)際充放電效果。5、大氣常壓等離子清洗機(jī)內(nèi)部電纜。大氣常壓等離子清洗機(jī)選用耐高壓耐高溫硅橡膠電纜。具有良好的絕緣強(qiáng)度、耐高溫、耐高壓性能，且材料柔軟。
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