后續編號10SiO2/Si3N4 薄膜對的蝕刻使用硬掩模作為阻擋層，PFC等離子刻蝕機器在隨后的蝕刻工藝中，硬掩模側壁中的缺陷會轉移到 SiO2/Si3N4 薄膜對上。 ③關鍵尺寸統一。 (2)等離子表面處理機和等離子清洗機的通道通孔刻蝕，以及數十對SiO2/Si3N4薄膜的通道通孔刻蝕，由于其超高的縱橫比，對刻蝕提出了很大的挑戰。比率。

由于過孔底部等離子體分布不均勻，PFC等離子刻蝕機器高縱橫比對過孔底側壁變形、孔頂側壁變形和內部蝕刻工藝提出了三大挑戰。在刻蝕過程中，隨著通孔的深度越來越深，等離子體越來越難以到達通孔底部并停止刻蝕。蝕刻工藝在多個步驟中重復“蝕刻排氣”循環過程，使蝕刻保護層的分布更加均勻，同時將偏置功率提高5-10倍，是普通邏輯工藝的5-10倍。以改善等離子體到達通孔底部。

等離子表面處理設備超低溫等離子刻蝕技術原理分析等離子表面處理設備的刻蝕方法有兩種：（1）博世刻蝕法和（2）超低溫刻蝕法。等離子表面處理機 Bosch Deep Reactive lon Etching（博世DRIE）工藝使用C4F8氣體等離子體形成保護層，PFC等離子刻蝕并與SF6各向同性蝕刻交替產生性蝕刻。在縱橫比上，在此過程中產生的結構側壁具有扇形折痕。這種扇形是由于 SF6 等離子蝕刻在室溫下產生的橫向蝕刻成分。

簡單來說，PFC等離子刻蝕機器如開篇所述，等離子清洗需要在真空中進行（通常應該保持在100PA左右），所以需要真空泵來產生真空。主要流程如下。首先將待清洗的工件送入真空室進行固定，抽真空泵等設備抽真空至10帕左右的真空度，引入等離子清洗氣體。將其置于真空室中（所選擇的氣體，如氧氣、氫氣、氬氣、氮氣等，取決于清洗劑），壓力保持在100帕左右，在它們之間施加高頻電壓.真空室中的電極和接地裝置分解氣體并使其通過輝光。

PFC等離子刻蝕機器

首先將待清洗的工件送入真空室進行固定，抽真空泵等設備抽真空至10帕左右的真空度，引入等離子清洗氣體。置于真空室中（根據清洗劑，選用不同的氣體如氧氣、氫氣、氬氣、氮氣等），壓力保持在100 PA左右。右；當在真空室的電極和接地裝置之間施加高頻電壓時，氣體通過輝光放電分解和離子化，產生等離子體。真空室中產生的等離子體完全覆蓋清潔后的工件。然后，當您開始清潔操作時，清潔過程會持續幾十秒到幾分鐘。

或者對于其他腐蝕性、易燃易爆的工藝氣體，應使用專用的質量流量控制器。為實驗室真空等離子清洗機選擇質量流量控制器，實驗設備一般不需要嚴格的流量控制要求，純手動設備也可以用手動浮子流量計測量。選擇時的其他注意事項真空等離子清潔器的制造商應確保真空反應室中的壓力穩定。因此，在選擇了合適的燃氣流量控制器后，還應注意燃氣管接頭的選擇?？焖俾菁y接頭或套圈通常用作氣體管道接頭，以滿足工藝氣體真空管道的氣密性。

等離子清洗機清洗后手機觸摸屏會變熱嗎？ ??很多次？等離子清洗機噴頭前端的問題是60度左右，和手機觸摸屏打交道時，處理時間短，速度快，所以手機屏幕的溫度手機大約是20到30度。等離子清洗機清洗氧化鋁陶瓷基板，提高鍵合可靠性 等離子清洗機清洗氧化鋁陶瓷基板，提高鍵合可靠性……目前，微波集成電路正朝著小型化、小型化的方向發展。工作頻率也越來越高，分布參數的影響越來越大，對產品的可靠性要求也越來越高。

3.高能：等離子體是一種高能粒子，在溫和條件下具有非凡的化學活性，無需添加催化劑?？梢詫崿F傳統熱化學反應系統無法實現的反應（聚合反應）。 (4)適用性廣：無論被加工基材的種類如何，都可以加工，如金屬、半導體、氧化物、大部分高分子材料等。 ⑤ 功能強大：只包含淺層高分子材料。材料的表面可以賦予一種或多種新特征，同時保留其獨特的特性。 ? 環保：等離子作用過程是氣相干反應，不消耗水資源，不需要添加化學試劑。

PFC等離子刻蝕設備

由化學纖維、耐酸堿化學纖維、填料、助劑等制成。耐磨、耐熱、密封性能優良，PFC等離子刻蝕主要用于真空等離子框架處理器真空泵外殼。等離子火焰處理設備中使用的數據氣壓計是一種電子數字壓力電源開關，可以實時顯示氣壓數據并輸出壓力報警。瞬時壓力和設定低壓以數據格式顯示，直觀性強，合理避免誤會。數據氣壓計也可以通過安裝支架方便地安裝到機械設備的伺服柜上。應用程序調整比針式氣壓計更強大。

4. 傳統的清洗方法清洗后往往會留下一層薄薄的污染物，PFC等離子刻蝕但當使用等離子清洗機的活化工藝清洗時，污染物仍保持非常復雜的幾何形狀，即使是微弱的化學鍵也很容易斷裂。經等離子清洗機處理后，等離子感應聚合形成的納米涂層可以讓多種材料通過表面涂層實現疏水性、親水性、疏油性和疏油性。