通過活性氫原子和自由基重組反應(yīng)進一步奪取氫導(dǎo)致形成C2H4和C2H2。同時，CCP刻蝕機原理C2H6 本身與高能電子之間的非彈性碰撞很可能導(dǎo)致其 CC 鍵斷裂，從而形成中間基網(wǎng)格，作為 CH4 形成的基礎(chǔ)。因此，與等離子等離子體作用下的純C2H6脫氫相比，C2H6的轉(zhuǎn)化率和C2H2、C2H4和CH4的產(chǎn)率隨著H2濃度的增加而顯著增加。將 H2 施加到 C2H6 的力的優(yōu)點之一是它抑制了碳沉積物的形成。

粒子（可以是化學(xué)活性氣體、稀有氣體或元素氣體）通常具有接近或高于 CC 或其他含 C 鍵的能量。離子沖擊或注入聚合物表面，CCP刻蝕機要么使鍵斷裂，要么引入官能團，使表面活化，達到改性的目的。反應(yīng)性低溫等離子體的表面處理反應(yīng)性等離子體是等離子體中的活性粒子與耐火材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而引入大量極性基團，使材料表面由非極性變?yōu)闃O性的一種。做的意思。 ..增加表面張力并改善粘合性。

產(chǎn)生射頻場的方法有很多，CCP刻蝕機宣傳標語射頻場能量的組合功率和等離子體的均勻性都在很大程度上取決于射頻感應(yīng)電極、線圈或天線的設(shè)計。工業(yè)中使用的兩種典型的射頻等離子體發(fā)生器是圖（A）所示的電容耦合等離子體（capacitively Coupled plasma，CCP）發(fā)生器和電感耦合等離子體（Inductively Coupled Plasma，ICP）發(fā)生器或轉(zhuǎn)耦合等離子體（TRANSFORMER）。

2.2.2 等離子處理能力意大利的OCCHIELLO研究了低溫等離子處理能力對時效性的影響[5]。提高等離子體處理功率，CCP刻蝕機提高等離子體中的能量密度，可以加速等離子體與高分子材料表面的反應(yīng)，增加高分子材料表面的氧含量，產(chǎn)生交聯(lián)，是有利的。反應(yīng)。性愛會很慢。 2.2.3 等離子處理時間 等離子處理時間的長短也影響被處理材料表面的動態(tài)特性。

CCP刻蝕機原理

氣體沖洗工藝技術(shù)參數(shù)設(shè)置如下：腔室壓力10-40 mitol，工藝氣體流量100-500SCCM，時間1-5S；工藝技術(shù)參數(shù)設(shè)置如下：腔室壓力1040 mitol，工藝氣體流量100 -500SCCM，上電極功率250-400W，時間1-10S； 2、等離子清洗法，其特征是使用的氣體為O2； 3、等離子清洗法，其工藝參數(shù)為41 本體沖洗工藝設(shè)置如下：腔室壓力15 mitol，工藝氣體流量300SCCM，時間3S；開始工藝工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力15 mitol，工藝氣體流量300 SCCM。

4、等離子清洗方式，氣體沖洗工藝工藝參數(shù)設(shè)置如下：腔壓10-20底，工藝氣體流量100-300SCCM，時間1-5S；輝光工藝技術(shù)參數(shù)設(shè)置如下：（腔壓10- 20 mitol，工藝氣體流量100-300 CCM，上電極功率250-400 W，時間1-5 S； 5、等離子清洗法，其特點是氣體沖洗 1 沉降工藝的工藝參數(shù)設(shè)置如下：腔室壓力15 mitol，工藝體流量300 CCM，時間3S；工藝工藝參數(shù)設(shè)置為：腔室壓力15 mitol，工藝體流量300 SCCM.，頂電極輸出300W，時間SS等離子清洗包括包括蝕刻場在內(nèi)的工藝，完成蝕刻工藝后硅片表面殘留顆粒的等離子清洗。

大多數(shù)工藝都有非常嚴格的氣體流量控制要求，因此所有工業(yè)真空等離子清洗機都使用質(zhì)量流量控制器來控制工藝氣體的流量。在實際使用過程中，不同的工藝要求要求您選擇不同流量控制范圍的質(zhì)量流量控制器。真空等離子清洗機中常用的流量控制范圍通常為 0 至 50 SCCM 至 0 至 500 SCCM。一些大型真空等離子清洗機本機還使用了0到1 SLM規(guī)格的質(zhì)量流量控制器。

以下是超大規(guī)模集成電路制造中常用的幾種等離子刻蝕機，即電容耦合等離子刻蝕機（capacitively Coupled plasma，CCP）、電感耦合等離子刻蝕機（Inductively Coupled Plasma，ICP和變壓器耦合等離子）、ICP和Transformer Coupled Plasma ）。

CCP刻蝕機原理

...由于噴在材料表面的高溫氧火焰溫度高達1100～2800℃，CCP刻蝕機宣傳標語所以要在最短的時間內(nèi)進行，使材料不變形。這種方法快速簡便，但耐老化性差，一年左右粘合強度下降。采用低溫等離子技術(shù)，有效去除加工成塑料制品時移動到表面的化學(xué)添加劑以及無機顏料和填料對涂料和運輸過程中的污染物的不利影響。 PP 的 CC 或 CH 鍵為：它被氧化形成CO、C=O、COO等活性基質(zhì)，大大提高了PP材料的表面活性。