C2烴和CO的產(chǎn)率峰形基本發(fā)生變化。這表明在一定范圍內(nèi)增加BaO負(fù)載量有利于提高催化活性，數(shù)控等離子編程軟件但負(fù)載量過高時(shí)，BaO會(huì)在Y-Al2O3表面堆積，催化催化劑活性降低。催化劑的焙燒溫度影響催化劑活性顆粒的尺寸和表面形貌，并在一定程度上影響催化劑的反應(yīng)性。一般來說，在較低的煅燒溫度下，更容易獲得高度分散的小顆粒，晶格結(jié)構(gòu)往往有缺陷，而在較高的煅燒溫度下，可以獲得較大的顆粒。

這種結(jié)構(gòu)就是護(hù)套層，斯達(dá)峰數(shù)控等離子參數(shù)設(shè)置可以是上面的電容器。電容器處于放電環(huán)境中，電荷存儲(chǔ)在表面上，從而產(chǎn)生電場。電場必須對(duì)應(yīng)于電壓。由于平衡，也就是這個(gè)電場，和電壓是動(dòng)態(tài)的靜電場，也就是直流電場和直流電壓，就形成了一個(gè)VDC。腔室的內(nèi)壁接地，形成的偏置場阻擋電子，因此這個(gè) VDC 在接地的內(nèi)壁上具有負(fù)值或負(fù)偏置。施加到電極上的負(fù)偏壓與射頻電壓一起形成復(fù)合電壓，如下圖所示。

使用20KHz左右的頻率，斯達(dá)峰數(shù)控等離子參數(shù)設(shè)置可以得到比較少的空化氣泡，但由于空化強(qiáng)度高，噪音大，清洗大零件表面與物體表面結(jié)合強(qiáng)度高的工件即可。用于。頻率在40KHz左右，相同聲壓下產(chǎn)生的空化氣泡數(shù)量多，但破壞時(shí)的空化強(qiáng)度低，噪音低，穿透力強(qiáng)，因此適用于復(fù)雜的表面。 ，盲孔、污垢、表面附著力較弱的工件。

例如，斯達(dá)峰數(shù)控等離子參數(shù)設(shè)置氧氣、氮?dú)狻⒓淄楹退魵獾然旌蠚怏w聚合物在高頻電場下處于低電壓狀態(tài)。在光放電的情況下，可以分解原子團(tuán)和大分子的加速運(yùn)動(dòng)。然后可以將粒子分解為原子和大分子電子以及正電荷和負(fù)電荷。帶電粒子和電子在被電場加速并與周圍的大分子或原子團(tuán)碰撞時(shí)獲得高能量。因此，分子和原子將電子激發(fā)成受激和離子形式。此時(shí)，化學(xué)物質(zhì)存在的形式是等離子體的形式。

斯達(dá)峰數(shù)控等離子參數(shù)設(shè)置

表 4-2 堿土金屬氧化物催化劑對(duì)反應(yīng)的影響（單位：%） . 315.734 .4SrO / Y-Al2O324.619.366.216.334.2BaOr / Y-Al2O326.419.463.316.735.6 BaO負(fù)載量和催化劑燒成溫度對(duì)負(fù)載為5%時(shí)負(fù)載型堿金屬氧化物催化劑的催化活性是恒定的。 . BaO 負(fù)載增加，CH4 和 CO2 的轉(zhuǎn)化率出現(xiàn)峰形變化，在負(fù)載 10% 時(shí)達(dá)到峰值。

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