半導(dǎo)體芯片晶圓被暴露在含氧及水的前提條件下表層會構(gòu)成自然的空氣氧化層。這層空氣氧化塑料薄膜不僅會阻礙半導(dǎo)體的很多工藝程序，還涵蓋了某些金屬材料殘渣，在相應(yīng)前提條件下，兩者會遷移到晶圓中構(gòu)成電力學(xué)瑕疵。這層空氣氧化塑料薄膜的清除常運用稀氫氟酸浸泡達(dá)成。
plasma在半導(dǎo)體芯片晶圓清潔工藝技術(shù)上的運用，等離子技術(shù)清潔具備工藝技術(shù)簡易、實際操作便捷、沒有廢料處理和空氣污染等難題。但plasma無法清除碳和其他非揮發(fā)物金屬材料或金屬氧化物殘渣。
plasma經(jīng)常使用于導(dǎo)電銀膠的清除工藝技術(shù)中，在等離子技術(shù)反映體系中通入少許的氧，在強電場的作用下，使氧形成等離子技術(shù)，快速使導(dǎo)電銀膠空氣氧化變成可揮發(fā)物的氣體形態(tài)物質(zhì)被吸走。24290