一般來說，粗糙度和親水性粒子污染物和氧化物是用5%H2 + 95%AR的混合等離子體進行凈化的。氧等離子體可以去除鍍金芯片中的有機物，但不能去除銀芯片中的有機物。選擇合適的等離子清洗工藝在LED封裝應用中大致可分為以下幾個方面:1)點銀膠前:基片上的污染物會導致銀膠呈球形，不利于貼片，易粘片等離子清洗可以大大提高工件的表面粗糙度和親水性，有利于瓦銀膠和切屑的粘附。同時大大節省銀膠用量，降低成本。

微電子封裝中等離子清洗工藝的選擇取決于后續工藝對材料表面的要求、材料表面原有特性的化學成分以及底漆的性質。常用于等離子清洗氣體氬氣、氧氣、氫氣、四氟化碳及其混合物。等離子清洗技術應用選擇。小銀膠村底：污染物使膠體銀呈球形，膜的粗糙度和親水性關系不鼓勵芯片粘附，更容易刺穿芯片。高頻等離子清洗可用于顯著改善表面粗糙度和親水性。銀膠體和貼瓦片的用量，同時使用銀膠的用量，可以節省銀膠，降低（低）成本。

試驗表明，膜的粗糙度和親水性關系這種表面處理方法能準確、有針對性地改善材料的表面性能。材料表面形貌發生了顯著變化，引入了多種含氧基團，使表面由非極性、不易粘接轉變為一定極性、易粘接、親水性，有利于粘接、涂布和印刷。。采用等離子清洗設備可大大改善工件的表面粗糙度和親水性；前點A銀膠：基板上的污染物會導致銀膠呈球形，不利于貼片，人工刺片容易造成損傷。

小銀膠村底：污染物會導致膠體銀呈球形，膜的粗糙度和親水性關系不利于貼片，易刺傷芯片。使用RF等離子清洗可大大改善表面粗糙度和親水性，有利于銀膠體和瓷磚貼屑。同時，使用量可節省銀膠，降低成本。拱形鍵合：芯片與基板鍵合前和高溫固化后，存在的污染物可能含有微粒和氧化物，這些污染物鉛的物理化學反應和芯片與基板的焊接不完全，鍵合強度差，附著力不足。引線鍵合前，射頻等離子體清洗可顯著提高鍵合引線的表面活性、鍵合強度和抗拉強度。

表面粗糙度和親水性

高頻等離子法顯著提高工件的表面粗糙度和親水性，促進銀膠平鋪和片材粘合，顯著減少銀膠用量，降低成本。 2）引線連接前的低溫等離子處理器：芯片基板高溫固化后，基板上的廢料可能含有顆粒和氧化物。這些廢物的物理和化學作用導致導線與芯片和基板之間的鍵合不完全或不充分，從而導致連接強度不足。射頻等離子處理顯著提高了引線鍵合前的表面活性，提高了鍵合強度和拉伸均勻性。

封裝工藝直接影響引線框架芯片產品的良率。芯片和引線框架上的顆粒污染物、氧化物和環氧樹脂是整個封裝過程中問題的第一大原因。根據這些不同污染物的不同世代，可以在不同工藝之前加入不同的等離子清洗工藝，其應用通常分散在點膠、引線鍵合和塑封之前。晶圓清洗：去除殘留的光刻膠。銀膠封裝和分布前：工件的表面粗糙度和親水性大大提高，有利于銀膠的綁扎和芯片鍵合，大大節省了銀膠的使用，成本可以降低。

為解決這一問題，某公司在海綿體中引入磁性橡膠，在海綿體上涂上一層磁性涂層，或者增加一條與金屬材料直接連接的磁條，一種新型的密封框架型材產生磁吸作用，提高海綿體的密封功能。這類車用密封膠條的界面張力很低，以至于使用絨布、植絨布、PU涂層和（有機）硅涂層技術使得這些涂層工藝中材料的粘合難度增加。手動分段磨削工藝通常用于改善橡膠條的表面粗糙度和施加底漆，這在制造過程中需要時間和精力，并且制造能力較低。

高分子材料的界面性能可以提高材料表面的潤濕性，利用等離子體去除零件表面的污染層，從而提高涂層性能或多個零件之間的粘合性能可以得到改善。等離子體的可靠性很大程度上取決于等離子體對材料表面物理化學性能的改善。除了薄弱的界面層或通過增加粗糙度外，它還增加了化學活性，然后增強了兩個表面之間的潤濕性和粘附性。隨著等離子清洗技術和設備的發展，清洗成本將不斷降低，清洗效率將進一步提高。

膜的粗糙度和親水性關系

但是由于玻璃纖維的表面光滑，粗糙度和親水性缺少含氧基團，使其與SiO2氣凝膠的機械嵌合程度以及化學鍵合程度不高，因此復合材料中SiO2氣凝膠對玻璃纖維的附著性差，進而導致復合材料掉渣，絕熱性能下降。目前，許多研究表明O2等離子體處理玻璃纖維，可以提高玻璃纖維的表面能并引入大量的含氧極性基團(－COOH、－OH)，增大玻璃纖維表面的粗糙程度，進而改善表面的潤濕性以及對SiO2氣凝膠的粘結強度。

清洗后水滴夾角小于5度，表面粗糙度和親水性為下一步工序打下了良好基礎。陽極表面改性；利用等離子體技術對ITO陽極進行表面改性，可有效優化其表面化學成分，大幅降低阻塞電阻，從而有效提高能量轉換效率，改善器件的光伏性能。涂層保護膜的預處理；硅片表面很亮，會反射大量陽光。因此，需要在其上沉積一層反射系數非常小的氮化硅保護膜。利用等離子體技術，可以活化硅片表面，大大提高其表面附著力。