他在兩家主要蝕刻設備制造商的獨特和成功經驗，CCP蝕刻設備使他能夠升級對應于不同技術節點的蝕刻機。2004年，他辭去應用材料副總裁一職，回到中國目前，中微半導體設備有限公司研發的等離子清洗機CCP蝕刻機，采用超高頻和低頻混合射頻解耦的無功等離子源，獨特的多反應腔雙反應平臺系統，在蝕刻28nm邏輯低介電材料和存儲器介電材料方面取得突破性進展，并進入市場。

有幾種情況:A、電容封裝會導致寄生電感;電容帶來一些等效電阻;電源引腳和解耦電容之間的導線會引入一些等效電感;接地引腳和接地平面之間的導體會引入一些等效電感。由此產生的效果:a .電容在特定頻率會產生共振效應，CCP蝕刻設備它產生的網絡阻抗會對相鄰頻段的信號產生較大影響;等效電阻(ESR)也會影響高速噪聲解耦所形成的低電阻路徑。以下總結了這對數字設計師的影響:A.設備上的Vcc和GND引腳的引線需要被視為小電感。

中國大陸已成為全球最大的銅復板生產地，CCP蝕刻全球工業產值份額達到65%，但大部分產能停留在低端領域，國內銅復板的平均單價遠低于世界其他國家。CCL供應鏈透露，銅箔目前處于嚴重需求狀態，交貨期不斷延長，價格也一波接一波上漲。這一次，大多數業內人士認為，電動汽車和5G的機遇已經到來。在新的銅箔生產能力建立起來之前，供應短缺可能會成為2-3年的日常問題。

除了通道通孔生產的中高寬高比帶來的三個主要挑戰之外，CCP蝕刻接觸孔蝕刻需要提供更高的蝕刻停止層選擇比。通常使用電容耦合等離子體蝕刻(CCP)來完成這一過程。與通道透孔蝕刻的工藝要求相似，接觸孔蝕刻也需要比邏輯蝕刻工藝更強的偏置功率，通常需要增加三倍以上。同時,低頻率偏差權力是用來提供離子自由程長,以提高等離子體腐蝕的能力達到接觸孔的底部,以避免變形的底部接觸孔的側壁,并降低蝕刻停止的可能性。

CCP蝕刻

成像系統增加紅外過濾裝置清潔技術的應用:紅外過濾器前面的涂層表面通常都是用超聲波清洗機和等離子設備清洗的，但要想對基材表面得到超凈，需要進一步用等離子清洗，不僅可以去除基材表面看不見的有機殘留物，還可以利用等離子體活化和腐蝕等手段對基體表面進行腐蝕。手機攝像頭模塊(CCM)是手機內置的攝像頭/攝像頭模塊。按鍵通過攝像頭鏡頭、icCOMS、PCB /FPCpcb電路板和RF連接器連接到手機主板上。

表8.2不同流量比Cl2/CH4/N2/Ar的刻蝕結果runno .Cl2/sccmN:/sccmAr/sccmEtchRate/(m/min) selectivitinp:SiO2RMS/nm150101.11328.7:1.>2525370.49311.5;118.2235550.40713.0:1.15.8845730.3229.35:1.1.0758350.76817.0:1.>以上方法均在ICP機上實現，較早的研究也在RIE機上進行，探討壓力對磷化銦蝕刻的影響。

進口美國電子流量計，由模擬量輸入輸出，量程0 ~ 200sccm可在量程內無級調節，根據質量流量計的特殊工藝要求可采用PLC PID調節并實現真空度的控制。根據特殊工藝要求可采用干式泵、尾氣處理設備、濾油器、濾油器回油裝置等電極結構高離子通量設計可以提高等離子體的均勻性和穩定性。。

而含有特定官能團的數據會受到氧或分子段運動的影響，使外部的特定官能團消失。因此，等離子體處理數據的表面活性具有一定的時效性。低溫等離子體清洗機graftingIn等離子體表面的數據的修改,由于特定的影響粒子在等離子體表面上分子,表面分子鏈分裂成新的特定的官能團如自由基和雙鍵,然后表面交聯occur.4接枝反應。

CCP蝕刻機器

焊接后，CCP蝕刻機器會出現空腔率增大，導致接觸電阻增大，熱阻增大，粘結強度下降。除射頻清洗外，還可以對晶圓片進行硫化銀和氧化處理。用銅等方法去除銀很難不損傷芯片。采用Ap-0清洗機，清洗劑采用氬氣。機身，清洗功率200~300W，清洗時間200~300s。容量400cc，通過射頻等離子芯片背面，硫化。去除銀和氧化銀，確保貼片質量。從銀板背面去除硫化物的典型方法。厚膜基板導致有機污漬的去除。

機身，CCP蝕刻機器清洗功率200~300W，清洗時間200~300s。采用射頻等離子芯片背板，400cc容量，硫化。去銀、氧化銀，確保貼片質量。從背銀板上去除硫化物的一種典型方法。除去厚膜基板導向帶上的有機污漬。如果發生這種情況，混合電路將使用錫膏、粘合劑和助焊劑，以及有機溶液代理與其他材料聯系。在厚膜基板上的有機物導帶的表面，例如有機污物導帶。膠粘劑二極管的使用會改變二極管的導通電阻。