CH3F氣體在等離子體中分解成CHx及F.+H.轟擊的離子能打斷Si-O鍵，氮化鈦鍍層附著力強嗎嗎這時需要CFx基團與Si反應形成可揮發副產物，但是在等離子表面清洗機CH3F等離子體中F離子濃度低，CHx很容易和―О-Si-發生反應，形成-Si-O-CHx。 這種高分子聚合物在氮化硅上較薄，是因為Si-N鍵的鍵能遠低于Si-O鍵，因此Si-N鍵很容易被打斷。

由于產業的大規模商用，鍍層附著力實驗標準氮化鎵的制造成本將快速下降，進一步刺激氮化鎵器件的滲透，有望成為消費電子領域的下一個殺手級應用。氮化鎵（GAN）主要用于制造電力設備，目前三分之二的GAN設備用于軍用通信、電子干擾、雷達等軍用電子產品。在私營部門，氮化鎵主要用于通信基站和電力設備等領域。

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是C2H2，說明在等離子體作用下的甲烷脫氫偶聯反應中實際存在式（3-20）所示的反應路徑。

通常，化學物質存在于三種形態：固體、液態和混合氣體，但在某些特殊情況下，它們可以存在于第四種形態，如太陽表面的化學物質和地球大氣電離層中的化學物質。這些化學物質的形態稱之為等離子形態，也稱之為化學物質的第4形態。低溫等離子體存在于以下情形下：高速運動電子、激活中性原子、大分子、原子團組（自由基）、離子原子團、大分子、紫外光線、無反應大分子、原子團等，但化學物質仍維持中性化。

但是它們卻表現出電中性（準中性）。    3） 氣體所產生的自由基和離子活性很高，其能量足以破壞幾乎所有的化學鍵，在任何暴露的表面引起化學反應。

1)等離子體的化學反應化學反應中常用的氣體有氫(H2)、氧(O2)、甲烷(CF4)等。這些氣體在等離子體中發生反應，形成高度活性的自由基，自由基將進一步與材料表面發生反應。其反應機理主要是利用等離子體中的自由基與材料表面發生化學反應。壓力越高，越有利于自由基的生成。因此，要想優先進行化學反應，就必須控制較高的壓力才能進行反應。

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