作為稀釋氣體，氮化硼的表面改性Ar和He對GST形態影響不大，但He用于四線圖組時，邊緣圖和中心圖的負荷較小。對于Ar，載荷更顯著，這可能是由于Ar和he 2之間存在顯著的質量差異所致。氮化鈦是GST刻蝕常用的硬掩模，其輪廓形狀直接影響底層GST的輪廓。氯氣(Cl)主要用于氮化鈦的蝕刻。

在射頻低溫等離子體發生器氮化中，氮化硼的表面改性低溫等離子體發生器的產生和襯底偏壓的產生是分開控制的，因此離子能量轉換和襯底表面通量可以分開控制。由于工作壓力相對較低，消耗的氣體量也相應減少（低）。在滲氮過程中，低能量轉換的直流輝光放電可產生NH原子，這些高活性原子可用于滲氮。整個過程需要外接電源對工件進行加熱，與氣體滲氮工藝類似。這類工業不僅可以精確控制表面拓撲結構，而且可以選擇是否形成復合層。

在等離子體表面處理改性過程中，氮化硼的表面處理改性不僅可以去除污垢(如有機物)，還可以產生一些功能極性基團，促進鍵合，通過交聯產生獎勵效應。電暈放電是許多聚合物在纏繞和涂覆過程中經常使用的一種方法，對許多聚合物具有經濟有效的作用。新開發的表面處理技術可以對射頻廠的混合氣體進行電離，并結合直流磁控濺射技術，利用等離子體處理技術對其表面進行氧化、氮化、氨化或水解等處理，以提高材料的表面能，改善其結合性能。

氮化硅薄膜用于制造新的功能性、多功能、可靠的器件和等離子表面處理，氮化硼的表面處理改性其性能高度依賴于薄膜的制造條件。等離子化學氣相沉積（簡稱PECVD）具有沉積溫度低（<400℃）、沉積膜針孔密度低、均勻性高、臺階覆蓋率好等優點。 PECVD氮化硅薄膜技術廣泛應用于半導體器件和集成電路的開發、芯片固定化膜的制作、多層布線之間的介質膜的制造，并已發展為大規模和超大規模集成。

氮化硼的表面改性

磷樹脂在燃燒時，熱分解后生成重磷酸，脫水能力極強，使聚合物樹脂表面形成碳化膜，隔離樹脂燃燒表面與空氣的接觸，使火災熄滅，達到阻燃效果。一種含有磷和氮化合物的聚合物樹脂，在燃燒過程中產生不可燃氣體，幫助樹脂體系阻燃無鹵素平板的特性由于鹵原子被P或N取代，在一定程度上降低了環氧樹脂分子鍵段的極性，從而提高了絕緣性能和耐磨性。

因為氮化硅側墻蝕刻可以停止在下面的氧化硅層上，所以不會對硅有影響 這樣的側墻也叫氮化硅側墻或者氧化硅/氮化硅(Oxide SiN，ON)側墻。到了0.18μm時代，這個氮化硅側墻的應力太大，會造成飽和電流降低，漏電增加。為了降低應力，需要提高沉積溫度到700℃，量產的熱成本將會提高，同樣會增加漏電。因此在0.18μm時代選用ONO側墻。

有機大分子的化學鍵可以被完全破壞形成新的鍵，但遠低于高能輻射射線，高能輻射射線只涉及材料表層，不會影響其性能。在低溫等離子體中，處于非熱力學平衡狀態的子粒子具有較高的動能，能打破材料表層分子的化學鍵，提高粒子的化學反應活性（大于熱等離子體）；結果表明，中性粒子的溫度接近常溫，有利于熱敏聚合物表面層的改性。1.硅膠表面具有表面能低、潤濕性差、結晶度高、非極性分子鏈、弱邊界層等特點，對環境友好。

2.可清除FPC柔性板上的干膜殘留物。3.等離子清洗技術后，能有效加強焊接字符的附著力，防止其脫落。4.針對電子/電路板行業，起到活化、改性、噴涂的作用。與傳統清洗方式相比，等離子清洗有哪些優勢：1.經等離子清洗技術清洗后，清洗物品已徹底干燥，無需再次干燥即可送往下一道工序。2.未采用三氯乙基甲基ODS有害溶劑，等離子體清洗技術清洗后不會產生有害物質，屬于環保綠色清洗方法。

氮化硼的表面改性

除此之外，氮化硼的表面改性還會造成資料表面產生交聯反響，所謂交聯，主要是自由基經過重新組合之后，表面會構成網狀交聯層。 然后，等離子表面改性進程中，會引入極性基因安排。放電控件反響活性粒子和資料表面的自由基產生結合，然后引入活性十分強的極性基因。

半成品的粘合性能受環境（溫度、濕度、光照、通風等）、膠料的保質期和粉塵等因素的影響。粘接和加油過程復雜，氮化硼的表面處理改性需要很多工藝點，并且受溫度和濕度的影響很大。在溫差較大的季節，更容易出現膠粘劑變化的問題。時間，它不環保，影響操作者的健康和安全。和其他嚴重缺陷。如今，等離子車架機中的低溫等離子技術廣泛應用于汽車行業材料的表面處理，用于對儀表、座椅、發動機、輪輞、汽車油漆和橡膠密封件等零件進行改性。