研究表明，背膠與附著力激發劑的用法等離子清洗技術可使包裝產品的包裝印刷率提高30%。在這些塑料中，等離子處理器顯示出高活性。這是塑料材料長期粘合的主要原因。 - 等離子處理器預處理提高液體墨水的持久附著力，提高印刷圖像包裝的產品質量，提高印刷產品包裝的耐用性、抗老化性能，使顏色變得更鮮艷，圖案印刷更準確成為可能。與電暈處理相比，等離子處理的適當比例，熱材料的表面層不太可能對表面造成其他損壞。
等離子體清洗技術廣泛應用于微電子、光電子、MEMS封裝等領域一、倒裝焊前等離子清洗在功率芯片倒裝封裝中，背膠與附著力激發劑的用法在倒裝鍵合前對功率芯片和載體等離子體進行清洗，提高其表面活性，可有效防止或減少孔洞，提高附著力。另一個特點是增加包裝邊緣高度，提高包裝機械強度，降低界面間熱膨脹系數不同帶來的剪應力，提高產品可靠性和使用壽命。二、功率芯片鍵合的等離子清洗等離子體清洗可用于功率芯片鍵合前的處理。
對表面無機械損傷，背膠與附著力激發劑的用法無需化學溶劑，完(全)的綠色環保工藝。脫模劑、添加劑、增塑劑或者其它由碳氫化合物構成的表面污染都能夠被去除。通過等離子進行的表面清洗能夠除去緊密附著在塑料表面細小的灰塵顆粒。通過一系列的反應和相互作用，等離子體能夠將這些灰塵顆粒從物體表面徹底除去。這樣可以大大降(低)高品質要求的涂裝作業的廢品率，比如汽車工業里的涂裝作業。
通常是指帶正電的陽離子的作用，附著力激發劑陽離子有向帶負電的表面加速的趨勢，在這種情況下，物體的表面獲得相當大的動能，足以除去附著在表面的粒子，我們稱之為濺射現象，通過離子的撞擊，物體表面的化學反應紫外光有很強的光能，能打破附著在物體表面物質的分子鍵。它還具有很高的滲透性，可以穿透表面幾微米深。與所有的可見，等離子體清洗是利用等離子體對各種高能物質進行活化，徹底剝離和去除附著在物體表面的污垢。。
背膠與附著力激發劑的用法
等離子體發生器處理技術可以借助等離子體對皮革制品表面的清潔、活化、刻蝕等作用，將皮革制品的表面變得更為潔凈、且富有活性，此外還能夠獲得微粗糙的表面，這樣一來油墨中的連結料和粘合劑能夠更容易地滲透到皮革制品的真皮層孔隙中，加以固化之后就可以產生機械投錨效應，獲得良好的附著性和牢靠度，等離子體發生器的表面處理技術對皮革制品表面不會產生任何損害，是一種節能、環保、高效、低耗的新型表面處理技術。
填料上只有降解一些惡臭物質的微生物附著，生物濾池內的微生物不會與微生物混合，同時消耗濾料中的有機物，生物濾池內不會產生生物濾池內的微生物物料量大，可承受比生物濾池更大的污染負荷。惰性濾料無法更換，造成壓力損失小。而且操作條件易控制，面積大，需要不斷添加營養物質，操作復雜，受溫濕度影響較大。培養生物菌需要很長時間，受到損傷后也需要很長時間才能恢復。
塑料、橡膠、纖維等高分子材料在成型過程中加入的增塑劑、引發劑、殘留單體、分解劑等低分子物質，很容易在材料表面沉淀和聚集，呈無定形。形成一層并提高潤濕性。性能會降低。尤其是醫用材料，小分子物質的浸出會影響機體的正常機能。冷等離子體技術可以在高分子材料表面形成交聯層，對小分子材料的滲透起到屏障作用。
在等離子體條件下，許多乙烯基單體可以在工件表面交聯聚合，不需要任何其他催化劑或引發劑。這種聚合物層非常致密，并與基底牢固地結合在一起。目前，國外的塑料啤酒瓶和汽車油箱都采用了這樣一層致密的等離子體聚合物材料，以防止微小的泄漏。高分子生物醫用材料的表面還可以防止塑料中的增塑劑等有毒物質通過這一致密層擴散到人體組織中。。
背膠與附著力激發劑的用法
(1) 產生氧氣CO2 + e → CO + 0-(4 -9) CO2 + e → CO + 0 + e (4-10) (2) 產生甲基自由基CH4 + 0- → CH3 ? + 0H- (4-11) CH4 + O → CH3 ? + OH (4-12) (3)產生C2烴CH3 + CH3 → C2H6 (4-13) C2H6 + e → C2H5 + H + e (4-14) C2H6 + O → C2H5 + OH (4-15) 2C2H5 → C2H4 + C2H6 (4-16) C2H5 + CH3 → C2H4 + CH4 (4-17) (4) 產生二氧化碳CHX + O → HCHO + H (4-18) HCHO + O → OH + CHO (4-19) CHO + O → OH + CO (4-20)等離子冷等離子作為一種有效的自由基引發劑，背膠與附著力激發劑的用法已成功用于 C2 一步中 CH4 的 CO2 氧化。
6去除光刻膠在晶圓制作過程中，背膠與附著力激發劑的用法氧等離子體被用來去除晶圓表面的蝕刻電阻。干法工藝唯一的缺點是等離子體區的活性粒子可能會對一些電敏設備造成損壞。為了解決這個問題，開發了幾種工藝。一種是用法拉第器件隔離轟擊晶圓表面的電子和離子；另一種方法是將清洗蝕刻對象放置在有源等離子體區域之外。（并行等離子清洗）蝕刻速率取決于電壓、氣壓和膠水的量。典型的刻蝕速率為nm/min，通常需要10min。
