等離子刻蝕對EM的影響 等離子刻蝕對EM的影響：應力遷移（SM）和LOW-K TDDB，SMT等離子除膠當器件工作時，電子與金屬晶格交換存在動量，因此電流在金屬之間流動。連接。 , 金屬離子在ELECTRON WIND的影響下漂移，導致部分導線出現空心或小丘。這是一種電遷移現象。當空隙的生長將導線電阻增加到某個臨界值或形成開路時，就會發生電遷移故障。

針對這些挑戰，SMT等離子除膠機器業界開發了一種在去除偽柵極后沉積 HIGH-K 柵極介質層的工藝，去除偽柵極是先蝕刻一部分偽柵極，然后將其去除的方法。 .其余為化學溶劑，有效避免了等離子刻蝕對柵介質層造成的損傷。等待等離子刻蝕對SM的影響 如果集成電路芯片在恒溫下放置一定時間且沒有電流流過，則金屬線中會出現縫隙或孔洞，這種現象通常是應力遷移（SM）發生。的作用下。

Is TF = B0 (T0-T) -NEXP (EA / KBT) (7-17) 其中，SMT等離子除膠設備T0 為無應力金屬的溫度，近似為 CU 的沉積溫度。 N 為溫差指數因子。 EA 是與金屬擴散相關的活化能。在工程中，樣品通常在特定溫度下烘烤特定時間，并根據烘烤前后的電阻變化率評估 SM。烘烤后通孔接觸電阻分別增加 85% 和 200% 的樣品的 TEM 圖像。如果空隙正好在通孔的下方，可以看到電阻的增加很大。

根據 SM 原理，SMT等離子除膠薄膜沉積工藝對 SM 的影響最大，包括 CU 沉積過程中的微觀結構控制、金屬阻擋層沉積過程中底層金屬的濺射量以及熱膨脹的控制。熱膨脹率、銅等合金的影響等蝕刻對 SM 的影響主要體現在兩個方面。一種是蝕刻后的過孔形式。當溝槽與過孔的連接處出現小的柵欄狀形態時，填銅后過孔內會出現空洞，導致SM過早失效。二是通孔底部聚合物殘留量和底部銅表面處理工藝。

SMT等離子除膠設備

ZHOU 等人描述了各種后蝕刻（POST ETCH TREATMENT，PET）工藝對 SM 的影響。使用 N2 / H2 氣體的 PET 與 CO2 的比例可以更好地去除通孔底部的聚合物殘留物，并減少通孔底部的銅，從而顯著提高 SM 性能。。等離子蝕刻接觸孔 等離子蝕刻接觸孔：接觸孔在連接前端器件和后端金屬互連的集成電路制造中起著重要作用。

三、PLASMA涂層界面及表面性能測試PLASMA涂層界面主要考慮界面應力、重復載荷、接觸疲勞等。由不一致性、周期性載荷、接觸疲勞等引起的界面應力。上述兩個因素加速涂層開裂和分層涂層表面性能測試，主要是考慮到它的多方面因素。各種磨損試驗、沖擊試驗、腐蝕試驗、高溫氧化試驗等功能。通常，在這些實驗之后，應該用金相、電子顯微鏡、X射線衍射和電子探針來分析涂層的成分、結構和形狀。

剝離強度是柔性覆銅板的關鍵性能指標之一，決定了覆銅板的許多重要性能指標。但PI膜表面親水性較差，表面光潔度較差，因此需要對PI膜進行等離子改性以提高附著力。今天，編輯們研究PI塑料薄膜，首先分析聚丙烯腈塑料薄膜的基本表面性能，然后采用酸堿處理和介質阻擋放電（DBD）兩種表面處理工藝并固定表面。對PI塑料薄膜表面進行改性對提高PLASMA的粘合強度非常重要。。

Plasma F Etching SI廣泛用于半導體器件的制造，蝕刻反應的三個步驟是：化學吸附：F2 & RARR; F2 (ADS) & RARR; 2F (ADS) 反應： SI + 4F (ADS) & RARR; SIF4 (ADS) 解吸： SIF4 (ADS) & RARR; SIF4 (GAS) 高密度等離子源在蝕刻過程中具有許多優點，可以更精確地控制工件尺寸、更高的蝕刻速率和更好的材料選擇性。

SMT等離子除膠

結合公司對工程研發人員和售后人員的服務和支持。等離子刻蝕機表面活化處理系統憑借多年的經驗和扎實的基礎，SMT等離子除膠設備建立了集表面性能測試和加工模式服務于一體的解決方案制造商，并配備了行業內的生產創新體系。 Plasma Etcher 在材料表面性能處理方面具有出色的性能和解決方案，靈活、強大、無故障，并且 24/7 全天候工作，以保護客戶利潤。專為。