隨著微電子器件的小原子層沉積（ALD）技術的快速發展，泉州大氣直噴射等離子清洗機該技術對于高縱橫比的溝槽和具有復雜三維結構的表面具有出色的臺階覆蓋率。更重要的是，它是基于前體表面的。限制自化學吸附反應，ALD可以通過控制循環次數來精確控制薄膜厚度。在ALD工藝中，沉積材料的前體和反應的前體交替進入反應室。在此期間，未反應的前體被惰性氣體吹掃，使反應氣體交替進入自限沉積模式。近年來，許多研究人員使用原子層沉積技術沉積銅薄膜。

CH4 + E * & MDASH;> CH3 + H + E (3-1) CH3 + E * & MDASH;> CH2 + H + E (3-2) CH2 + E * & MDASH;> CH + H + E (3-3) CH + E * & MDASH;> C + H + E (3-4) CH4 + E * & MDASH;> CH2 + 2H (H2) + E (3-5) CH4 + E * & MDASH;> CH + 3H (H2 + H) + E (3-6) CH4 + E * & MDASH; C + 4H (2H2) + E (3-7) 自由基和下一個產品 A 之間的耦合發生反應。

作為電子加速的機理，泉州大氣等離子設備當電子與氬原子彈性碰撞并繞電場運行時，電子的速度和能量增加，如果滿足上述條件，電子可以獲得電離能。 . , 即使在電場強度很弱的情況下也可以獲得電離能。使用這種機制，理想的電場頻率范圍通常在幾千 MHz 左右。有學者將這一機制延伸，認為從壁面和陰極發射的二次電子加速后，進入光放電區，成為屬于二次電子擴散現象的額外電子源。

氧化鈦膜厚：0.400 μm 0.43 μm 0.47 μm 0.53 μm 0.58 μm 顏色 紫色 淺藍色 藍色 藍色 綠色 黃色 當然，泉州大氣直噴射等離子清洗機也有氮化硅等其他層可以實現這種干涉效應。還有氧化硅。 , 見下表。

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這些高能電子與甲烷分子發生非彈性碰撞，然后與許多活性物質產生活性自由基，進一步碰撞結合形成新物質。

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