通孔的等效阻抗一般比傳輸線的等效阻抗低12%左右。例如，制動效率與附著力50ohm傳輸線通過通孔時阻抗會降低6 ohm(具體與通孔的尺寸和板厚有關，不降低)。然而，通孔阻抗不連續引起的反射實際上非常小，其反射系數僅為:(44-50)/(44+50)=0.06。通孔引起的問題更多地集中在寄生電容和電感的影響上。通孔本身的寄生電容對地有寄生電容。

另一個特色是處在磁場中的等離子體，制動效率和附著力系數沿磁場的輸運基本上不受磁場的影響，但橫越磁場的輸運卻受到磁場的阻擋。 　　【常壓等離子設備】處于環形磁場中的高溫淡薄等離子體，磁場梯度引起的漂移會改變束縛粒子的軌道，從而加大了遷移自在程，這就大大提高輸運系數。剖析這種磁場位形所得到的輸運理論名為新經典理論，它仍然是一種磕碰理論。

因此，制動效率和附著力系數有必要使用等離子體對硅片表面進行拋光。經測試，頻率為13.56MHz的真空系列具有良好的效果。二、有機化學半導體器件——等離子體表面處理器件積極改性處理，提高擴散系數目前，有機化學半導體器件主要分為兩類:小分子材料和高分子材料。有機化學半導體按其通道自由電子觀點可分為P型半導體和N型半導體。在p型半導體中，自由電子多為空穴結構，而在n型半導體中，自由電子多為電子結構。

在集成電路的金屬互連和絕緣層保護過程中，制動效率與附著力系數許多高溫過程都會產生機械應力。由于金屬材料和絕緣材料的熱膨脹系數不同，這些高溫過程會在金屬層鋁或銅中引入較大的應力，機械應力的大小與溫度成反比。應力引起的金屬層中空洞的形核或長大是一個擴散過程，與溫度成正比。在機械應力和擴散的共同作用下，應力傳遞誘導的空穴形核速率在一定溫度下達到峰值。這個溫度取決于導體和周圍絕緣體的性質，一般在150～200℃左右。

制動效率與附著力系數

采用寬幅等離子表面處理器進行等離子清洗，可以徹底去除工藝過程中產生的污垢，有效去除污垢并激活污垢表面，顯著提高鉛的結合強度，有效提高集成電路器件的可靠性。等離子體清洗治療在集成電路芯片和包底物可以有效改善基質的表面活性,大大提高粘接強度,降低芯片和基板之間的層,提高導熱系數,提高集成電路的可靠性和穩定性,并提高了產品的使用壽命。

由于方向性差，等離子體可以深入到物體的孔洞和凹痕中完成清洗操作，無需考慮被清洗物體的形狀。 E、等離子設備的選擇性清洗效率可大大提高。整個清洗過程可在幾分鐘內完成，清洗效率高。 F、等離子清洗機需要限制的真空度在100Pa范圍內，這個清洗系數很容易達到。

1. CO2分子與高能電子的非彈性碰撞； 2.系統中的 CHx 和 H 等活性物質會激活 CO2； 3.催化劑吸附 CO2 分子，與 C-0 結合，促進 CO 鍵的斷裂和 CO。并產生活性O原子。顯然，在等離子體催化的聯合作用下，路徑 3 對于 CH4 和 CO2 的轉化無疑是重要的。等離子體中催化劑的活化主要取決于與高能電子的碰撞。

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制動效率與附著力系數

在進行等離子體刻蝕時，制動效率與附著力系數工作溫度和壓力也起著重要作用，工作溫度和壓力的微小變化會顯著改變電子的碰撞頻率。RIE(反應離子刻蝕)利用物理和化學機制實現單向的高水平表面刻蝕。因為RIE過程將物理和化學作用結合在一起，它比單獨的等離子刻蝕更快。高能量的離子碰撞使等離子體中的電子被剝離，并且允許使用帶正電荷的等離子體進行表面處理。。

處于等離子體狀態的物質有以下幾種：高速運動的電子；處于活化狀態的中性原子、分子和原子團（自由基）；電離原子和分子；未反應的分子、原子等，制動效率和附著力系數但物質作為一個整體保持電中性。