三分之一的微電子器件和設備采用電暈技術；90%的高分子材料都要經過低溫電暈的表面處理和改性。科學家預言：21世紀低溫電暈科學技術將有突破。低溫電暈技術將在半導體工業、高分子薄膜、材料防腐、電暈電子、電暈合成、電暈冶金、電暈煤化工、電暈三廢處理等領域對傳統技術產生革命性影響。

該系統基于在線電暈清洗系統的機械結構，薄膜表面電暈處理參考獨立電暈清洗，采用自動化作業方式，可與上下游生產工藝銜接，滿足器件封裝行業的規模化生產需求，徹底去除污垢尺寸小于1um的微小殘留顆粒和有機薄膜，大幅提升表面性能，提高焊接、封裝、粘接等后續工藝的可靠性，從而確保電子產品在惡劣環境條件下的高精度和高可靠性。在線電暈清洗設備作為一種精密干洗設備，能有效去除污染物，改善物料表面性能。

因此，薄膜表面電暈處理特別適用于不耐熱、不耐溶劑的材料。而且可以有選擇地分析材料的整體、局部或復雜結構進行局部清洗；九、在完成清洗去污的同時，還能提高材料本身的表面性能。如改善表面潤濕性、提高薄膜附著力等，這在很多應用中都非常重要。。MPCVD中雙襯底結構對電暈設備影響的研究；天然金剛石具有很高的硬度、熱膨脹系數、化學穩定性和光學透過率等物理化學性能。這些優異的性能使得天然金剛石可以作為一種理想的材料應用于許多領域。

Ar電暈清洗劑電暈清洗劑電暈對TIO2薄膜具有轟擊刻蝕清洗作用，薄膜表面電暈處理使Ar電暈清洗去除TIO2薄膜表面不連續、不致密的顆粒，留下平整、致密、光滑的薄膜表面。Ar電暈具有轟擊刻蝕的效果，可以完全去除樣品表面的有機污染物，從而提高T1O2薄膜的表面能；經過Ar電暈處理后，TIO2薄膜表面T14+減少并轉化為T3+，會產生電子-空穴對，空穴與金紅石晶面上的橋接氧反應形成氧空位。

薄膜表面電暈處理

在電暈刻蝕中，基于電暈作用的物理刻蝕和基于活性基團作用的化學刻蝕同時發生。電暈蝕刻從相對簡單的平板二極管技術起步，發展到價值數百萬美元的組合腔室，配備多頻發生器、靜電卡盤、外墻溫度控制器和專為特定薄膜設計的各種流量控制傳感器。可以蝕刻的電介質是二氧化硅和氮化硅。這兩種電介質的化學鍵能都很高，一般需要使用氟碳氣體（如CF4、C4F8等）產生的高活性氟電暈對其進行刻蝕。

隨著微電子器件小型化原子層沉積(ALD)技術的迅速發展，該技術對高深寬比和復雜三維結構表面的溝槽具有良好的臺階覆蓋能力。更重要的是，基于前驅體表面的自限性化學吸附反應，ALD可以通過控制循環次數來精確控制膜厚。在ALD過程中，沉積的物質前驅體和反應前驅體交替進入反應室。同時，用惰性氣體吹掃未反應的前驅體，以確保反應氣體以交替自限性方式沉積。近年來，許多研究者利用ALD技術沉積了銅薄膜。

電暈在電磁場中運動，轟擊被處理物體表面，從而達到表面處理、清洗和蝕刻的效果。與傳統的有機溶劑濕法清洗相比，電暈清洗具有以下優點：1.清洗對象經電暈清洗后干燥，無需進一步干燥處理即可送入下一道工序。可提高整個工藝線的加工效率；2.無線電波范圍內高頻產生的電暈不同于激光等直射光。電暈的方向性不強，使其深入到物體的微孔和凹陷處完成清洗任務，因此不需要過多考慮被清洗物體的形狀。

通過真空泵將處理氣體和基板抽出，表面不斷覆蓋新鮮的處理氣體，從而達到蝕刻的目的在PCB的生產中，電暈刻蝕主要用于對基板表面進行粗糙化處理，以增強涂層與基板的附著力。在下一代更先進的封裝技術&MDASH；&mdash；在化學鍍Ni-P過程中，電暈刻蝕可以使FR-4或PI表面變粗，增強FR-4或PI與Ni-P電阻層的結合力。

薄膜表面電暈處理

一、電暈表面處理在陶瓷表面的應用如下：1.陶瓷涂層的預處理可使涂層更加牢固，薄膜表面電暈處理效果判定無需打底；2.施釉前對陶瓷進行預處理，增強表面附著力；二、電暈表面處理在電纜中的應用如下：1.專用線纜印刷，可使噴碼印刷效果更佳；2.光纜印花，牢度可媲美激光打標3.交叉纖維印花，印花清晰耐磨。

薄膜表面電暈處理器技術參數輸出功率:2-30kW可選（可選CD500/CG2000系列）輸入電壓:220VAC/380VAC加工速度:5-400m/min（根據要求定制）加工寬度:300-3000mm（根據要求定制）處理面：單面或雙面放電電極：金屬電極用途：非導電絕緣材料，薄膜表面電暈處理如PP，PET，PE，PVC等適用機型：切分機、流延機、復合機、擠出機、切片機、涂布機等。