設電子密度為Ne，電暈機一般與材料距離多遠離子密度為Nj，中性粒子密度為ng。顯然，對于單一大氣、只有一級電離的電暈，存在ne=ni，n可以用來表示任一帶電離子的密度，簡稱電暈密度。當然，對于混合氣體電暈或多階電離的電暈，可能存在不同價態的離子和不同種類的中性粒子，因此電暈中的電子密度和離子密度并不相等。

嵌入式脈沖通常用源功率和偏置功率同時脈沖，電暈機一般與材料距離多遠但偏置功率的開啟時間比源功率短，可以減少同步脈沖電暈的開啟時間；高電子溫度峰值出現在啟動時刻。交錯脈沖技術可分為幾種類型，即在源功率關斷時，偏置功率延遲，異步或提前導通。其目的是在電暈源斷電階段通過調節電暈電位來延遲離子通量，降低或提高離子轟擊能量（與同步脈沖相比）。一般來說，嵌入式脈沖和交錯脈沖技術在設備上實現難度較大，大規模生產尚需時日。

有幾種情況：A.電容封裝會導致寄生電感；B、電容會帶來一定的等效電阻；C、電源引腳與去耦電容之間的導線會帶來一定的等效電感；D、地腳和地平面之間的導線會帶來一定的等效電感。產生的效果：a.電容會在特定頻率上引起諧振效應以及由此產生的網絡阻抗對相鄰頻段的信號產生較大影響；b.等效電阻(ESR)也會影響解耦高速噪聲形成的低電阻路徑。

在此基礎上，電暈機一般用多少kw建立了表面粗糙度隨磨削時間變化的數理統計分析方法，實驗表明，在一定條件下，根據磨削時間的不同，利用這些數據和數理統計分析方法對試樣表面的實際粗糙度值進行非線性擬合，并根據擬合結果對數理統計分析方法進行修正，修正后的數理統計分析方法與實驗結果一致。驗證了拋光液不同溫度下的兩組實驗，修正后的數理統計分析方法與實際拋光工藝結果基本一致。

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但對于常規電暈滲氮工藝產生的反常輝光放電，放電參數相互關聯耦合，無法單獨改變其中一個放電參數來控制滲氮過程。低溫復合滲氮工藝提高擴散速率的機理分析。淬火回火后，工件表面組織為回火索氏體，工件表面硬度較高，中心塑性較好。后續微加工處理的目的是去除調質工件表面的鱗片，為后續工藝做準備。為提高滲速，在滲前對工件表面進行高頻淬火處理，表面淬火后的工件表面組織為馬氏體和殘余奧氏體，均為組織缺陷。

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