根據(jù)Yole估計(jì)，靜電噴粉附著力不好大多數(shù)Sub 6GHz的蜂窩網(wǎng)絡(luò)都將采用氮化鎵器件，因?yàn)長(zhǎng)DMOS無(wú)法承受如此之高的頻率，而砷化鎵對(duì)于高功率應(yīng)用又非理想之選。同時(shí)，由于較高的頻率會(huì)降低每個(gè)基站的覆蓋范圍，需要安裝更多的晶體管，因此市場(chǎng)規(guī)模將迅速擴(kuò)大。Yole預(yù)測(cè)，GaN器件收入目前占整個(gè)市場(chǎng)20%左右，到2025年將占到50%以上，氮化鎵功率器件規(guī)模有望達(dá)到4.5億美元。

當(dāng)能量密度達(dá)到300kJ/mol時(shí)，靜電噴粉附著力不好引發(fā)等離子體反應(yīng)。隨著能量密度的增加，C2H6和CO6的轉(zhuǎn)化率增加，C2H4和C2H2的總收率增加，直到能量密度達(dá)到1500kJ/mol。能量密度的進(jìn)一步增加導(dǎo)致等離子體放電不穩(wěn)定。在流動(dòng)等離子體反應(yīng)器中，能量密度的增加意味著高能電子能量和數(shù)目的增加，這將有利于反應(yīng)方程（3-26）到（3-29）,等離子體反應(yīng)器中活性物種的相對(duì)量增加。

由于是在真空中進(jìn)行，靜電噴粉的附著力為多少不污染環(huán)境，保證清洗表面不受二次污染。固體，液體，氣體，等離子體2. 等離子體工藝應(yīng)用:1)表面清潔2)表面活化3)蝕刻4)等離子體接枝和聚合5。

這些都會(huì)導(dǎo)致電路的長(zhǎng)期可靠性得不到保證。等離子體是由正離子、負(fù)離子、自由電子等帶電粒子和激發(fā)態(tài)分子、自由基等不帶電中性粒子組成的部分電離氣體。因?yàn)樗恼?fù)電荷總是相等，靜電噴粉附著力不好所以叫等離子體。一些非聚合無(wú)機(jī)氣體(Ar、N2、O2等）在高頻低壓下激發(fā)產(chǎn)生含有離子、激發(fā)分子和自由基的等離子體。通過(guò)等離子體轟擊，可以解吸襯底和芯片表面的污染物，有效去除鍵合區(qū)的污染物，提高鍵合區(qū)表面的化學(xué)能和潤(rùn)濕性。

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換言之，等離子體中帶負(fù)電粒子的個(gè)數(shù)密度等于帶正電粒子的個(gè)數(shù)密度，正負(fù)電荷的個(gè)數(shù)密度之差為千分之一。由于電場(chǎng)中帶電粒子的運(yùn)動(dòng)是相互耦合的，所以它們的運(yùn)動(dòng)是它共同響應(yīng)施加的電磁場(chǎng)。在低頻電磁場(chǎng)中，等離子體充當(dāng)導(dǎo)體。如果施加的電磁場(chǎng)的頻率足夠高，則等離子體的行為類似于電介質(zhì)。在弱電離等離子體（主要是工業(yè)應(yīng)用）中，除了電子和離子之外，還有許多中性粒子，如原子、分子和自由基。

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