如果柵氧化區小，隧道附著力小是什么意思柵面積大，大柵收集的離子就會流向小柵氧化區。為了保持電荷平衡，從襯底注入到柵極的隧道電流也需要增加，增加倍數為柵極與柵極氧化層面積之比，增加了損傷效應。這種現象被稱為&ldquo；天線效用&rdquo；.在柵注入的情況下，隧道電流與離子電流之和等于等離子體中的總電子電流。由于電流很大，即使沒有天線的增加作用，只要柵氧化層中的場強能產生隧道電流，就會造成等離子體損傷。

目前主要采用的刻蝕技術有離子束刻蝕(IBE)、電感耦合等離子體刻蝕(ICP)、反應離子刻蝕(RIE)等系統。值得注意的是，隧道附著力小是什么意思磁隧道結的形狀不僅會影響器件性能，而且還會顯著影響等離子清洗機的蝕刻過程，比如圓柱形或環形圖案的蝕刻會比較簡單。目前，磁性隧道結所使用的材料已被報道含有多種金屬元素，如Fe、Co、Ni、Pt、Ir、Mn、Mg等，一般是由5~10層單層材料(合金或金屬氧化物)堆疊在1nm水平。

滯后回線偏移小于 Ar ICP 也表明在 CH3OH 等離子清潔劑等離子蝕刻中存在化學反應。通過這種化學反應形成的含碳薄膜層吸收入射離子能量，隧道附著力小啥意思從而降低等離子體損傷（PID）。研究進展表明，通過優化 CH3OH/Ar 比，可以改善由反應離子刻蝕引起的材料不可避免的磁劣化所導致的磁阻劣化問題。除了通過氣體選擇優化對磁隧道結刻蝕形狀的控制外，脈沖功率技術的引入帶來了進一步的改進。

一般通過后等離子清洗機蝕刻處理（如HE/H2后蝕刻處理）、濕式清洗工藝優化和多工藝一體機（薄膜沉積、蝕刻和清洗模塊放置在同一個平臺上，隧道附著力小啥意思始終保持真空環境）來改善。鹵素氣體的替代選擇是選擇無腐蝕性的蝕刻氣體，主要是通過物理轟擊進行磁隧道結蝕刻，在等離子體清潔器中一般采用等離子體密度較高的電感耦合等離子體。

隧道附著力小

如果柵氧區較小，而柵極面積較大，大面積柵極收集到的離子將流向小面積的柵氧區，為了保持電荷平衡，由襯底注人柵極的隧道電流也需要隨之增加，增加的倍數是柵極與柵氧面積之比，放大了損傷效應，這種現象稱為“天線效應”。對于柵注入的情況，隧道電流和離子電流之和等于等離子體中總的電子電流。因為電流很大，即使沒有天線的放大效應，只要柵氧化層中的場強能產生隧道電流，就會引起等離子體損傷。

鹵素氣體的替代方法是選擇無腐蝕性的蝕刻氣體，主要是利用物理沖擊來蝕刻磁隧道結。電感耦合等離子體在等離子清洗機中具有較高的等離子密度，是常用的。目前主要研究CO/NH3混合物，等離子刻蝕產生的刻蝕副產物Fe(CO) 5 和Ni(CO) 4 具有揮發性，需要進行刻蝕后腐蝕處理，可以有效降低。但這種混合物的等離子體解離速率遠低于鹵素，蝕刻速率低，對蝕刻形狀的控制較弱。

具有天線器件結構的大面積離子收集區（多晶或金屬）通常位于厚場氧化物上，因此只需考慮隧道電流對薄柵氧化物的影響。收集區的大面積稱為天線，帶天線的器件的隧穿電流放大系數等于厚場氧化物收集區面積與氧化層面積之比柵極氧化物。該面積稱為天線比。如果柵氧化區面積小，柵區面積大，大面積柵收集的離子會流向小面積柵氧化區。注入柵極的隧道電流也需要襯底來保持電荷平衡。

在磁隧道結蝕刻中獨樹一幟的等離子清洗機中性束蝕刻(NBE)在目前RRAM中的應用更偏向于形成阻變層的金屬氧化物。。【行業聚焦】新基建促進中國服務器PCB產業的持續增長- 等離子設備印制電路板（Printed Circuit Boards，簡稱PCB），主要為電子元器件提供電氣連接，也被稱作“電子系統產品之母”。

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當固定層和自由層具有相同的磁化方向時，隧道附著力小磁性隧道結具有較低的電阻，而當磁化方向不同時，磁性隧道結具有較高的電阻。這種現象稱為隧道磁阻效應。傳統的磁存儲器通過外部電流產生環形磁場來改變自由層的磁化方向，其存儲單元較大，與其他存儲器相比，在讀/寫速度上沒有優勢。更換內存。所謂自旋轉移矩，是指自旋極化電流通過納米尺寸的鐵磁層時，鐵磁層的原子磁矩的變化。