其中最大的關鍵環節是有機化學沉銅前的PTFE活化預處理，二氧化硅等離子體蝕刻設備也是特別重要的一步。使用聚四氟乙烯聚合物在活化處理前化學沉淀銅的方法有很多，但歸納起來，才能保證產品質量并適合批量生產，主要有以下兩種方法:(1)有機化學處理:金屬鈉與萘在非水溶液(如四氫呋喃或己醇二甲醚)中發生反應，形成萘鈉絡合離子。萘鈉處理溶液可以腐蝕孔內PTFE表面分子，進而達到潤濕孔的目的。

電子在向表面清洗區傳遞的過程中，二氧化硅plasma表面活化與吸附在被清洗表面的污染物分子發生碰撞，導致污染物分子分解，產生活性自由基，從而觸發污染物分子的進一步活化反應。此外，低質量的電子比離子跑得快，所以它們比離子先到達表面，導致表面帶負電荷，引發進一步的激活反應。

2)激活鍵能和交聯等離子體中粒子的能量為0~20eV，二氧化硅等離子體蝕刻設備而聚合物中的大部分鍵能為0~10eV。因此，當等離子體作用于固體表面時，可以破壞固體表面原有的化學鍵，等離子體中的自由基與這些化學鍵形成交聯結構網絡，極大地激活了表面活性。3)新官能團的形成——化學如果在放電氣體中引入反應氣體，活化物質的表面會發生復雜的化學反應，并引入新的官能團，如烴基、氨基、羧基等。

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二氧化硅plasma表面活化

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盡量使用地平面，二氧化硅等離子體蝕刻設備使用地平面的信號線與不使用地平面的信號線相比，會得到15 ~ 20dB的衰減。對高頻信號和敏感信號進行地面封裝處理，采用地面封裝技術在雙面板上會獲得10 ~ 15dB的衰減。使用平衡線、屏蔽線或同軸線。對干擾信號線和敏感信號線進行濾波。通過設置合理的層數和布線，設置合理的布線層數和布線間距，減小并行信號長度，縮短信號層與平面層之間的間距，可以有效地減少串擾。

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