等離子清洗/蝕刻機通過在密閉容器中設置兩個電極以產生電場并使用真空泵達到一定程度來產生等離子。隨著氣體越來越稀薄，不同金屬附著力差異大小分子和離子的分子間距和自由運動距離越來越長，它們在電場的作用下相互碰撞，形成等離子體。這些離子非?；钴S，它們的能量足以破壞幾乎所有的化學鍵，從而在暴露的表面上引起化學反應。不同的氣體等離子體具有不同的化學性質。
其主要過程包括:先將需要清洗的工件送入真空室固定,啟動真空泵等裝置開始抽真空排氣到10Pa左右的真空度;接著向真空室引入等離子清洗用的氣體(根據清洗材質的不同,選用的氣體也不同,如氧氣、氫氣、氬氣、氮氣等),并將壓力保持在 Pa左右;在真空室內的電極與接地裝置之間施加高頻電壓,使氣體被擊穿,并通過輝光放電使其發生離子化,產生等離子體;在真空室內產生的等離子體完全覆蓋被清洗工件后,開始清洗作業,清洗過程會持續幾十秒到幾分鐘。
從正常能量發射：氣體>液體>固體的角度來看，不同金屬附著力差異大小等離子體的能量比氣體高，而且能表現出普通氣體所不具備的特性，因此也被稱為物質的第四態。一般情況下，氣體離子會形成電子-正離子結合。當它們回到中性分子狀態時，這一過程中產生的電子和離子的部分能量以不同形式被消耗掉。例如，電磁波和分子解離常產生自由基，自由基產生電子與中性原子結合，分子產生負離子。因此，整個真空等離子體是電子正負離子、原子和自由基激發的原子混合態。
2.3(1)低溫等離子體和高溫等離子體的種類可以分為兩類，不同金屬附著力差異大小高溫等離子體和低溫等離子體，等離子體中粒子的溫度實際上是不同的，與溫度相關的粒子運動速度的運動質量,等離子體與鈦離子溫度,說,存在于電子溫度Te和中性粒子,如原子、分子或原子與Tn的溫度,對于Te大大高于Ti和Tn,即低壓氣體的場合體，此時氣體的壓力只有幾百帕斯卡，當施加高頻電壓或直流電壓時使電場，由于電子本身很小，電池的質量很容易得到，因此，可以獲得平均數電子伏特的高能。
不同金屬附著力差異大小
常見的等離子體激發頻率有三種：激發頻率為40kHz的超聲等離子體、激發頻率為13.56MHz的射頻等離子體和激發頻率為2.45GHz的微波等離子體。各種等離子體線的自偏壓不同。超聲等離子體的自偏壓約為0V，射頻等離子體的自偏壓約為250V。微波等離子體的自偏壓很低，只有幾十伏。三種等離子體的形成機制不同。超聲等離子體的反應是物理反應，射頻等離子體的反應是物理反應和化學反應，微波等離子體的反應是化學反應。
等離子清洗/蝕刻技術是對等離子特殊性能的一種具體應用。等離子清洗/蝕刻機通過在密閉容器中設置兩個電極形成電場來產生等離子，并使用真空泵產生一定的真空度。它越來越薄，分子和離子的分子間距和自由運動距離越來越長。它與電場的作用相撞形成等離子體。這些離子非?；钴S，其能量足以破壞幾乎所有的化學鍵。暴露的表面會引起化學反應，不同氣體的等離子體具有不同的化學性質。
相對而言，干洗是指等離子清洗、氣相清洗、束流清洗等不依賴化學試劑的清洗技術。由于工藝技術和使用條件的不同，市場上的清洗設備差異很大。目前市場上主要的清洗設備包括單晶片清洗設備、主動清洗站和洗滌器。從21世紀至今，主要的清洗設備是晶圓清洗設備、主動清洗站和洗滌器。單晶片清洗裝置是一般采用旋轉噴淋方式，用化學噴霧清洗單晶片的裝置，與主動清洗站相比，清洗效率較低，生產能力也較低，但工藝非常昂貴。
相對而言，干洗是指不依賴化學試劑的清洗技能，包括等離子體清洗、氣相清洗、束流清洗等。工藝技能和使用條件的差異使得市場上的清洗設備也有明顯的差異化?，F在市場上的初級清洗設備有單晶片清洗設備、主動清洗臺和清洗機三種。在21世紀至今，單片清洗設備、主動清洗臺、清洗機是主要的清洗設備。
不同金屬附著力差異
就質量和體積而言，不同金屬附著力差異等離子體是宇宙中可見物質存在的主要形式。恒星是由等離子體構成的，星際空間也充滿了等離子體。這兩種等離子體非常不同。恒星的核心是高溫、高密度的等離子體，星際空間是薄薄的低溫等離子體。地球上的人造等離子體也有同樣的差異。有高溫高密度等離子體和低溫低密度等離子體。受控熱核聚變反應堆是一種完全電離的高溫高密度人造等離子體。
