通過配置刻蝕組件，二氧化硅清潔等離子清洗機可以實現刻蝕功能，性價比高，操作簡單，從而實現多功能。半導體通過等離子體蝕刻機過程將模式復制到多晶硅和其他基質膜的結構,以形成一個晶體管門電路,同時與鋁或銅組件實現互連,或與二氧化硅阻止互連路徑。蝕刻的作用是將印刷的圖案以極高的精度轉移到基片上，因此蝕刻過程必須有選擇性地去除不同的薄膜，基片蝕刻要求有很高的選擇性。否則，不同導電金屬層之間可能發生短路。

首先，二氧化硅清潔等離子體表面清洗機產生的等離子體含有電子、離子和活性自由基。這些顆粒更容易與材料表面的有機污染物發生反應，產生易揮發的無害氣體，如二氧化碳、水蒸氣等。整個反應過程時間短、效率高、處理效果好。其次，手機屏幕在涂層或噴涂后經過等離子體處理，等離子體中的活性成分會迅速與材料和噴涂材料形成化學鍵，這種鍵能大大提高分子鍵合的強度，使膜不易松動。。

典型的等離子體物理清洗工藝是氬等離子體清洗。氬本身是惰性氣體，二氧化硅清潔不與表面發生反應，而是通過離子轟擊來清除表面。典型的等離子體化學清洗工藝是氧等離子體清洗。等離子體產生的氧自由基反應性很強，很容易與碳氫化合物反應，產生二氧化碳、一氧化碳和水等揮發性物質，2.2激發頻率分類等離子體密度與激發頻率的關系如下:Nc = 1.2425 × 108 v2其中Nc為等離子體密度(CM-3)， V為激發頻率(Hz)。

等離子體和十種催化劑對甲烷和二氧化碳的轉化有不同的影響:過渡金屬氧化物是工業催化劑中最重要的催化劑之一。過渡金屬氧化物的多相催化反應通常是通過催化劑的酸堿反應或氧化還原反應來進行的。甲烷(OCM)在普通催化和等離子體催化下的氧化偶聯結果表明:大多數過渡金屬氧化物催化劑具有一定的催化活性。結合以往等離子體催化甲烷脫氫的研究經驗，二氧化硅清潔選擇Mn、Fe、Co、Ni和W等過渡金屬，制備了負載型金屬氧化物催化劑。

二氧化硅清潔設備：

在氧自由基、激發態氧分子、電子和紫外線的共同作用下，油分子最終被氧化為水分子和二氧化碳分子，并從物體表面去除。由此可見，等離子體去除油漬的過程是一個有機大分子逐漸降解的過程，最終形成水、二氧化碳等小分子，這些小分子以氣態形式排除。等離子體清洗的另一個特點是，清洗后的物體已徹底干燥。

二氧化碳轉化順序為:Ni0/Y-Al2O3>TiO2/Y-Al2O3>Co2O3/Y-Al2O3>Na2WO4 / Y-Al2O3 Fe2O3 / Y-Al2O3> Re2O7 / Y-Al2O3 Cr2O3 / Y-Al2O3> Mn2O3 / Y-Al2O3 MoO3 / Y-Al2O3>氧化鋅/ Y -氧化鋁。

工件表面上的污染物,如油脂、通量,膠卷,脫模劑,沖壓油,等等,很快就會被氧化成二氧化碳和水,并將由真空泵抽離,從而達到清洗的目的和改善表面滲透和附著力。低溫等離子體處理只涉及材料的表面，不影響材料的性能。由于等離子體清洗是在高真空條件下進行的，等離子體中各種活性離子自由路徑長，穿透性和滲透性強，可以用細管和盲孔等復雜結構進行處理。

然后用真空泵除去氣態污泥。2)氧:化學過程等離子體與樣品表面復合反應。例如，有機污染物可以用氧等離子體有效地去除，氧等離子體與污染物反應產生二氧化碳、一氧化碳和水。一般來說，化學反應對有機污染物的去除效果更好。3)氫氣:可以用氫氣去除金屬氧化物。它經常與氬氣混合以達到脫除率。人們擔心氫的可燃性，因為氫的使用量非常小。一個更大的擔憂是氫的儲存。我們可以用氫氣發生器從水中產生氫氣。然后消除潛在的危害。

二氧化硅清潔設備：

因為超聲波清洗機是一種清洗表面可見材料的機械設備。等離子清洗機是清潔表面有機物，二氧化硅清潔使產品改性，提高不良率，做表面活化等功能。等離子表面清洗機的機理不同于超聲波技術。當艙室接近真空時，打開射頻電源。在這一點上，氣體分子電離產生等離子體，伴隨光放電。等離子體在電場作用下加速，在電場作用下高速運動，物體表面發生物理碰撞，等離子體的能量足以去除各種污染物。同時，氧離子能將有機污染物氧化成二氧化碳和水蒸氣。