施加足夠的能量使氣體電離，電暈處理機(jī)電極金屬絲就變成了等離子體狀態(tài)。等離子體的“活性”成分包括：離子、電子、活性基團(tuán)、激發(fā)核素（亞穩(wěn)態(tài)）、光子等。等離子體表面處理儀器就是利用這些活性組分的性質(zhì)對(duì)樣品表面進(jìn)行處理，達(dá)到光刻膠清洗、改性、灰化的目的。

通過(guò)適當(dāng)?shù)墓に嚄l件對(duì)材料表層進(jìn)行處理，電暈處理機(jī)電極金屬絲明顯改變材料表層的形貌，引入多種含氧基團(tuán)，使表層由非極性、不易粘接變?yōu)橐欢O性、易粘接、親水性，提高了結(jié)合面的表面能，不會(huì)對(duì)表層造成任何損傷，也不會(huì)使表層出現(xiàn)涂層、電鍍層剝離。

3）聚合物表面經(jīng)等離子體表面處理器改性后，電暈處理機(jī)電極金屬絲聚合物表面的化學(xué)鍵被等離子體表面處理器熔化破壞，在聚合物表面產(chǎn)生自由基基團(tuán)，表面自由基基團(tuán)與等離子體技術(shù)中的原子或化學(xué)基團(tuán)的連接產(chǎn)生新的聚合物官能團(tuán)，取代原有的表面聚合物官能團(tuán)，聚合物表面改性可以改變材料表面的化學(xué)性質(zhì)，但材料的整體性能不會(huì)改變。4）聚合物表面涂層：等離子體技術(shù)涂層是通過(guò)工藝氣體聚合在材料基體表面產(chǎn)生的薄層等離子體技術(shù)涂層。

引線鍵合前：芯片與基板鍵合后，電暈處理機(jī)電極金屬絲經(jīng)高溫固化而存在于其上污染物可能包括微粒和氧化物等，這些污染物可能會(huì)從物理和化學(xué)反應(yīng)中造成引線與芯片和基板之間的不完全（完全）焊接或粘接不良，導(dǎo)致粘接強(qiáng)度不足。鍵合前的等離子清洗可以提高鍵合絲的表面活性，從而提高鍵合絲的鍵合強(qiáng)度和拉伸均勻性。

為什么pt薄膜要電暈處理

國(guó)際上把等離子體分為熱等離子體和冷等離子體。熱等離子體的電離率接近%，電子和離子的溫度相當(dāng)，屬于熱平衡等離子體。如等離子弧、火箭發(fā)動(dòng)機(jī)等離子射流和熱核聚變等離子體。冷等離子體的電離率很低，電子溫度遠(yuǎn)高于離子溫度，屬于非熱平衡等離子體。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，主動(dòng)式清洗臺(tái)將多個(gè)晶圓一起清洗，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備成熟，生產(chǎn)率高，而單片晶圓清洗設(shè)備逐片清洗，優(yōu)點(diǎn)是清洗精度高，背面、斜面、邊緣都可以進(jìn)行有益清洗，一起防止晶圓之間的穿插污染。45nm之前，主動(dòng)清潔臺(tái)可以滿(mǎn)足清潔要求，現(xiàn)在仍在使用；而45以下的工藝節(jié)點(diǎn)則依賴(lài)于單片晶圓清洗設(shè)備來(lái)滿(mǎn)足清洗精度要求。在工藝節(jié)點(diǎn)數(shù)量不斷減少的情況下，單片清洗設(shè)備是未來(lái)可預(yù)見(jiàn)技術(shù)下清洗設(shè)備的主流。

有些射流等離子清洗也使用氮?dú)猓驗(yàn)榈獨(dú)猱a(chǎn)生的等離子溫度比較低。溫度是物體冷熱的程度，從微觀角度看，溫度是粒子運(yùn)動(dòng)的量度。溫度越高，粒子的平均動(dòng)能越大，反之亦然。在等離子體中，粒子的平均能量常被用來(lái)直接表征溫度。

由于非平衡等離子體機(jī)中電子的勢(shì)能分布不同于重粒子，它們處于不平衡狀態(tài)，可以認(rèn)為含電子的氣體溫度遠(yuǎn)高于含中性粒子和離子的氣體。為此，高能電子在碰撞下激發(fā)氣體分子，或使氣體分子分解電離。這個(gè)過(guò)程中產(chǎn)生的自由基可以分解發(fā)射分子。材料在化學(xué)作用下可以實(shí)現(xiàn)化學(xué)轉(zhuǎn)化。利用等離子體機(jī)的化學(xué)效應(yīng)實(shí)現(xiàn)分子分解比單純依靠等離子體機(jī)的熱效應(yīng)更有效。在許多情況下，有毒排放物的分子很薄。

電暈處理機(jī)電極金屬絲