結果表明，刻蝕銅板離子方程式由于兩電極之間的輝光信號沒有時間差，射流區等離子體不是由電極之間的放電形成后再通過空氣傳播的。也就是說，高壓電極的兩端獨立形成氣體擊穿，分別向兩側傳導。。例如，氧等離子體的形成過程可以用下面的方程來表示。第一個方程表示氧分子獲得外界能量后，釋放自由電子，成為氧陽離子的過程。第二個方程表示氧分子獲得外界能量后分解成兩個氧原子自由基的過程。第三個方程表示氧分子躍遷到具有高能量自由電子的激發態。

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表3-3不同催化劑在等離子體201催化劑作用下的催化活性轉化率/ %選擇性/ %收率/ %比/mol,C2H6CO2C2H4C2H2C2H4和C2H2C2H4/C2H2H2/COWithout催化劑33.822.712.425.412.70.482.3410la2o3 /Y-Al2Oy37． 518.520.832.019.80.652.7410CeO2 / Y-Al2O342.420.620.431.321.80.652.64Pd / Y - 0.1 Al2O330.024.646.76.315.97.401.46Note:反應條件如下:催化劑用量0.7毫升,放電功率20 w(峰值電壓28 kv:頻率44 hz),流量25毫升/分鐘,飼料C2H6 (50 vol. %)和二氧化碳(50 vol. %)。

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刻蝕銅板離子方程式

在亞微米時代，四乙基硅酸鹽氧化物(TEOS氧化物)直接沉積在柵上，蝕刻停止在源漏硅上，形成側壁。這種方法的問題在于，它會造成硅的損傷。所以當裝置減少到一定程度時，泄漏就會不可控。m時代，由于TEOS氧化硅側壁不能滿足工藝需要，后來又開發了氮化硅側壁。Si3n4側壁也稱為Si3n4側壁或Si3n4 / Si3n4 (Oxide SiN, ON)側壁，因為蝕刻時可以停在氧化硅層下面，所以不影響硅。

氯化鐵刻蝕銅板反應方程式