離子從四面八方同時注人到樣品上而沒有視線限制，氧化鋁表面改性因此可以處理形狀較復雜的樣品。利用低溫等離子技術將聚對苯二甲撐涂裝在金屬表面，鋁表面涂裝鋁合金這些技術多用于航空航天器金屬表面的保護。　　3、提高金屬的硬度和磨損特性前期等離子體浸沒離子注人應用研究，主要是用氮等離子體對金屬材料表面進行處理。由于TiN、CrN超硬層的形成，樣品表面的耐磨性能獲得顯著改進。。在生活中很多材料都會促使蛋白結合，而導致血栓的形成。

過度的氧化反而在橡膠表面留下更多的脆弱結構，氧化鋁表面改性不利于粘接。對硫化橡膠表面局部粘接時，表面處理除去脫膜劑，不宜采用大量溶劑洗滌，以免不脫膜劑擴散到處理面上妨礙粘接。鋁及鋁合金的表面處理，希望鋁表面生成氧化鋁結晶，而自然氧化的鋁表面是十份不規則的、相當疏松的氧化鋁層，不利于粘接。所以，需要除去自然氧化鋁層。但過度的氧化會在粘接接頭中留下薄弱層。

直到轉化為穩定的易揮發的簡單小分子，氧化鋁表面改性接下來，污漬從鋁表面分離出來，在這一環節中，羥基自由基的主要作用是在（活性）功能環節中的能量轉換和傳遞，在羥基自由基與表面污垢分子結合的過程中，釋放出許多結合能，并以釋放的能量轉換為驅動力，促進表面污垢分子發生新的（活化）反應，有利于污漬在等離子體或新的物理特性的（活化）作用下的徹底去除。。

等離子處理器表面技術主要用于兩個方面： (1)等離子表面處理：利用等離子將氮、碳、硼或碳和氮滲入金屬表面，氮化鋁表面改性分散的原因以提高工具和模具的性能。這種方法的一個特點是，不是在表面添加涂層，而是改變了基材表面的材料結構和性能。在等離子處理器工藝中，工件的溫度比較低，工件不變形，這對于精密零件來說非常重要。該方法主要適用于輝光放電氮化、碳化氮化、滲硼等各種金屬基材。

氮化鋁表面改性分散的原因

通過調整真空等離子體清洗機的一些參數，可以形成一定形態的氮化硅層，即側壁蝕刻傾斜。1 .氮化硅材料的特點氮化硅(Si3N4)是目前最熱門的新材料之一。它具有密度低、硬度高、彈性模量高、熱穩定性好等特點，在許多領域得到了應用。

過蝕刻使用CH3F/O2氣體對氮化硅和氧化硅實現高蝕刻選擇性，并通過一定量的過蝕刻去除剩余的氮化硅。硅溝槽是在等離子處理器中通過干法和濕法蝕刻的組合形成的。干法蝕刻使用 HBR / O2 氣體工藝在電感耦合硅蝕刻機上執行體硅蝕刻。側壁和柵極硬掩模層的高選擇性可以有效防止多晶硅柵極的暴露。在這個過程中，過多的鍺硅缺陷會在柵極上生長。這種過多的鍺硅缺陷會導致柵極和通孔之間的短路故障。

B 引線鍵合前：芯片粘貼到基板上后，經過高溫固化，其上存在的污染物可能包含有微顆粒及氧化物等，這些污染物從物理和化學反應使引線與芯片及基板之間焊接不完全或粘附性差，造成鍵合強度不夠。在引線鍵合前進行等離子清洗機，會顯著提高其表面活性，從而提高鍵合強度及鍵合引線的拉力均勻性。

先蝕刻TEOS氧化硅，停在氮化硅上，再蝕刻氮化硅停在RTO氧化硅上，既滿足應力和熱成本要求，又不會損傷基板。在65nm以下齡期，由于側壁厚度的減小，應力不明顯再次受到重要影響的是，ON側墻憑借工藝簡單、控制穩定的優點，再次在先進的半導體技術中得到了廣泛的應用。表3.7比較了不同介質層的沉積模式特征。表3.7不同介質層的沉積模式特征沉積類型溫度/℃溫度預算步長覆蓋晶圓均勻爐(LPCVD。

鋁表面改性

機械清洗使用動力工具或相關設備清除對象表面的銹蝕、油漆和氧化物等，鋁表面改性優點是操作簡單，技術要求低，但容易損壞作用對象，對外形復雜的產品則顯得束手無策，而且作業過程產生噪聲污染，不利于操作人員及工廠周邊居民的身體健康。化學清洗使用化學物品與物體表面的污物或殘留物等產生化學反應，從而達到清洗的目的。