表 3-5 等離子體和 10CeO2fY-AlzO3 聯(lián)合作用下能量密度對乙烷轉(zhuǎn)化率的影響能量密度/（千焦/摩爾）兌換率 /％選擇性/%總收率/%比率/摩爾C2H6二氧化碳C2H4 C2H2 C2H4 和 C2H2 C2H4 / C2H2氫氣/一氧化碳380 10.5 8.9 36.0 54 9.6 0.65 2. 47 47 540 16.0 12.0 33.857 57 14.0 0.63 2.51 680 23.4 15.4 28.6 44.0 17.0 0.65 2.61 720 32.0 17.0 22.8 33.5 18.0 0.68 2.67 800 42.4 20.6 20.4 31.3 21.8 0.65 2.74 1030 52.6 26.3 19.1 29.0 25.3 0.66 2.91 1350 61.5 30.1 17.2 27.4 27.5 0.63 2.89 1500 72.8 41.1 16.2 24.2 29.4 0.67 2.71注：反應(yīng)條件 催化劑用量 0.7ml；C2H6 (50vol.%)、CO2 (50vol.%) 提供。
使用氧氣等離子清潔劑在金屬表面涂上聚對二甲苯和在鋁表面涂上鋁合金 這些技術(shù)通常用于保護(hù)航天器的金屬表面。 3.提高金屬硬度和耐磨性：等離子浸沒技術(shù)的早期應(yīng)用研究主要是利用氮等離子體來處理金屬材料的表面形貌。 TiN和CrN超硬層的形成顯著提高了樣品表面的耐磨性。。如何為我的等離子清洗機(jī)選擇氧氣、氬氣、氫氣和氮?dú)夤に嚉怏w？等離子清洗機(jī)中常用的工藝氣體包括氧氣、氬氣、氮?dú)狻嚎s空氣、二氧化碳、氫氣和四氟化碳。
半導(dǎo)體等離子清洗機(jī)制造應(yīng)用:等離子輔助清洗技術(shù)是先進(jìn)制造行業(yè)中的一種精密清洗技術(shù)，二氧化錫親水性可以廣泛應(yīng)用于許多行業(yè)。本文介紹等離子體清洗技術(shù)在半導(dǎo)體制造業(yè)中的應(yīng)用。化學(xué)氣相沉積(CVD)和蝕刻技術(shù)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體加工。CVD可用于沉積多晶硅、氮化硅、二氧化硅和鎢薄膜。此外，微級管與電路中起連接作用的細(xì)導(dǎo)線之間的絕緣層也采用了CVD技術(shù)。CVD反應(yīng)結(jié)束后，部分殘留物會沉積在CVD反應(yīng)室的內(nèi)壁。
等離子清洗機(jī)plasma等離子體處理提高SiO2薄膜駐極體的穩(wěn)定性：利用等離子清洗機(jī)plasma等離子體對硅襯底上熱生長SiO2薄膜進(jìn)行表面處理，二氧化錫親水性提高二氧化硅薄膜駐極體電荷的儲存穩(wěn)定性。有機(jī)聚合物駐極體材料具有良好的電荷儲存穩(wěn)定性，目前市場上銷售的駐極體傳感器絕大多數(shù)都是有機(jī)聚合物駐極體薄膜傳感器。
二氧化錫的親水性
plasma等離子處理TEOS工藝沉積二氧化硅薄膜的光譜研究：二氧化硅薄膜是一種性能優(yōu)良的介質(zhì)材料，它具有介電性能穩(wěn)定，介質(zhì)損耗小，耐潮性好，溫度系數(shù)好等優(yōu)點，具有極其穩(wěn)定的化學(xué)性和電絕緣性。因此，二氧化硅在集成電路工藝中的應(yīng)用很廣泛。正是由于二氧化硅薄膜在集成電路工藝中應(yīng)用的廣泛性，所以需要制備具有不同特性的二氧化硅薄膜，這就意味著要不斷研發(fā)出各種新型的薄膜沉積技術(shù)。
例如，有機(jī)污染物可以通過氧等離子體有效去除，氧氣與污染物反應(yīng)產(chǎn)生二氧化碳、一氧化碳和水。等離子體化學(xué)清洗具有較高的清洗速度和腐蝕性。一般來說，化學(xué)反應(yīng)可以更好地去除有機(jī)污染物，但最大的缺點是氧化物可以在基質(zhì)上形成，并用于許多應(yīng)用。壓力:工藝容器壓力是氣體流量、產(chǎn)品流量和泵速的函數(shù)。工藝氣體的選擇決定了等離子體清洗的機(jī)理(物理、化學(xué)或物理/化學(xué))，最終決定了流動速度和工藝壓力狀態(tài)。
這是因為焊盤上及厚 膜導(dǎo)體的雜質(zhì)污染是引線鍵合可焊性和可靠性下降 的一個主要原因。包括芯片、劈刀和金絲等各個環(huán) 節(jié)均可造成污染。如不及時進(jìn)行清洗處理而直接鍵 合，將造成虛焊、脫焊和鍵合強(qiáng)度偏低等缺陷。 采用Ar和H2的混合氣體進(jìn)行幾十秒的在線式等離子清洗，可以使污染物反應(yīng)生成易揮發(fā)的二氧化 碳和水。由于清洗時間短，在去除污染物的同時， 不會對鍵合區(qū)周圍的鈍化層造成損傷。
大多數(shù)研究人員認(rèn)為，等離子體作用下CO2降解的機(jī)理主要包括兩個步驟： 1.等離子體產(chǎn)生的高能電子與二氧化碳分子發(fā)生非彈性碰撞，成為激發(fā)態(tài)的二氧化碳分子； 2.激發(fā)的 CO2 分子解離成 CO 和活性 O 原子，活性 O 原子重新結(jié)合生成氧氣。光譜技術(shù)可用于檢測等離子體作用下CO2轉(zhuǎn)化反應(yīng)的活性種，觀察C、CO+、CO、0的活性種。對應(yīng)于每個活性物種的波長如下。
二氧化錫親水性
因此，二氧化錫的親水性選擇合適的等離子體處理方法可以有效地改善材料的表面性能，方便人們的生產(chǎn)生活。。氧等離子體表面處理儀處理二氧化硅薄膜材料的工藝是怎樣的： 利用氧等離子體表面處理儀等離子體工藝對物料進(jìn)行輔助處理，其中氣相和固相表面的化學(xué)反應(yīng)起著關(guān)鍵作用。當(dāng)蝕刻二氧化硅薄膜時，氧等離子體表面處理儀也能工作，等離子體表面處理設(shè)備中典型反應(yīng)器的工作過程。輸入氣體是四氟化碳和氧的混和物，等離子體是由無線電頻率或電場激發(fā)的。
