這種分析過程通常用于半導體制造中的 EDP 監控。圖 2 下圖顯示了電容耦合等離子體源的激發凸塊的典型腔室結構和等離子體中的光譜輻射。上下電極通電，等離子旋轉電極霧化技術一般頻率為13.56MHZ。所謂的暗鞘在每一面壁上形成，暗鞘通常被認為是絕緣體或電容器，因此可以通過電容器將功率傳遞給等離子體。圖 3 常用的 CCP 源腔結構范圍從 1MHz 到 MHz。自由電子可以隨著電場的變化而獲得能量。

在 1 到 mT 的范圍內，等離子旋轉電極霧化技術等離子體密度隨著氣壓的增加而增加，但隨著氣壓的增加，密度隨著氣壓的增加而降低。 VDC也與自由電子能量有關，隨著氣壓的升高，電子凸點增加，而凸點減少電子能量。考慮到這些機制，可以理解 VDC 不會隨著氣壓的增加而繼續增加。 2.1.2.3 功率的影響很直接，增加功率，增加密度和電子能量，從而增加VDC。

2.1.2.4 結束語 當晶圓被放置在下電極上時，等離子旋轉電極制粉桌面設備等離子體和晶圓，即VDC。隨著負電子氣體的增加，可以在低壓下實現高電壓降VDC，而在大功率RIE反應離子刻蝕下，上述方法可以實現高VDC。如果您想要較低的 VDC，請從相反的方向開始。 2.2 蝕刻機理 蝕刻機理的描述適用于所有類型的等離子體技術，而不僅僅是RIE。一般來說，等離子蝕刻是化學蝕刻，而不是物理蝕刻。

這種電容性高壓可以在等離子體放電中點燃并持續存在，等離子旋轉電極霧化技術但是當部分高壓形成時，會腐蝕介質窗口，產生顆粒，并且可以污染晶圓，因此存在性。通常選擇串聯在線圈末端的法拉第屏蔽或接地電容器來減少電容耦合。圖 9 法拉第屏蔽 ICP 源結構。通常認為乙炔在等離子發生器條件下通過兩種途徑由甲烷生產：通常認為甲烷在等離子體發生器條件下通過兩種途徑產生乙炔： C2 烴的產率增加了 35%。

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通常認為甲烷在等離子體發生器條件下以兩種方式產生乙炔： 1. CH自由基偶聯反應； 2. C2H6和C2H4的脫氫反應。如果體系中CO2濃度繼續升高，會消耗大量高能電子，C2H6、C2H4與高能電子碰撞的概率會不斷降低，進而發生脫氫反應。受阻，C2H4 的產生量進一步減少。因此，隨著體系中CO2濃度的增加，C2H6和C2H4的摩爾分數趨于增加，C2H2的摩爾分數減小。

圖案轉移工藝要求印刷電路板在暴露于干膜后進行顯影和蝕刻，以去除不需要干膜保護的銅件。此過程使用顯影劑溶解。未曝光的干膜。在后續蝕刻過程中蝕刻和去除覆蓋有未曝光干膜的銅表面。在此顯影過程中，顯影滾筒的噴嘴壓力不均勻，導致部分未曝光的干膜不能完全熔化而形成殘渣。這種情況在細線生產中很可能會出現，最終會在后續蝕刻后造成短路。等離子處理可以很好地去除干膜殘留物。

1980年代，美國、蘇聯、日本和歐盟建立了國際熱核試驗堆（ITER）計劃。并在本世紀初確定了ITER的設計大綱。這表明受控熱核聚變技術已從基礎研究階段進入工程化階段，以確認裝置的性能。可行性階段。 ITER 目前正在法國南部馬賽附近的 Cadarache 建設中。這是工程可行性研究的第一步，第二步是示范聚變反應堆的研制，第三步是商業聚變反應堆的研制。

例如，加工后的紙箱材料不再是簡單的紙，而是銅版紙、上光紙、銅版紙、鋁紙等新型材料，或者直接使用聚丙烯pp、PET等塑料片材。這些新材料在為印刷包裝行業帶來諸多性能和品質幫助的同時，也給文件夾粘合技術帶來了新的挑戰。許多制造商使用點涂層、聚光燈、表面拋光或粘貼線切割，并使用特殊的特殊粘合劑。這些方法雖然在一定程度上解決了一些工藝問題，但在工藝、效率、成本和質量保證等方面均不符合行業標準。

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在高頻和高速覆銅層壓板的發展過程中，等離子旋轉電極霧化技術碳氫樹脂在基板材料行業的多功能性、技術、寬度和使用規模方面都得到了迅速的發展。碳氫樹脂、馬來酰亞胺（長鏈）等也用于半加成工藝制造的高端HDI板、封裝載體和模塊化板。用于制造樹脂薄膜。中國的創新發展、量產和碳氫樹脂應用仍需迎頭趕上。可見，近年來興起的世界范圍內用于PCB的柔性基板材料和樹脂薄膜都發生了樹脂材料的重大變化。

使用等離子表面處理設備對物體表面進行處理時，等離子旋轉電極霧化技術只需幾秒鐘即可完成需要處理機的電暈工藝，在幾十秒內完成。 5、等離子清洗設備在加工產品時可以對半導體、氧化物、高分子材料等各種基材和形狀進行等離子表面處理，無論加工對象如何。對于復雜結構，也可以進行局部結構等離子清洗任務。